Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» планирует к концу 2012 г. ввести в строй оборудование, позволяющее создавать микросхемы с топологическим размером 10 нм.
«С помощью новой техники для электронно-лучевой литографии к концу года появится возможность создать прототипы устройств размером 10 нм. У нас все подготовлено, зона готова, вибрация измерена», – заявил Алексей Марченков, директор отделения наномикросистемных и гибридных технологий Курчатовского института.
Речь идет о прототипе, потому что «серийное производство – просто не наше дело», подчеркнул ученый. Курчатовский институт будет готов передать эти технологии в промышленность после отработки технологического процесса изготовления уникальных нанокристаллов.
В настоящий момент ведущие мировые производители полупроводников, в частности Intel и AMD, производят микросхемы по технологии 32–45 нм. Летом прошлого года Intel объявила, что менее чем через год будет готова массово выпускать процессоры с самым малым по длине или ширине элементом в 22 нм.
Источник: ИТАР-ТАСС