Компания «ООО Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) впервые опубликовала данные о состоянии разработки собственной технологии энергонезависимой магниторезистивной памяти с переносом спинового момента (STT MRAM).
По сообщению директора по разработке продуктов Алексея Хвальковского, компания ведёт разработку технологии STT MRAM с 2016 года, и по последним результатам тестирования инженерных партий пластин с экспериментальными структурами (см. фото), технологический процесс создания магнитных ячеек памяти с нормами 90 нм удалось довести до уровня, пригодного для коммерциализации данной технологии.
 |
«Нами были синтезированы уникальные материалы, позволяющие достичь длительного срока сохраняемости данных, толерантности к внешним магнитным воздействиям и низкого тока переключения, а новый техпроцесс позволил достичь выхода годных ячеек более 95%», – сообщил Алексей.
Помимо этого, КНЭ сообщает о завершении разработки тестового чипа для дальнейшего совершенствования технологии в сотрудничестве с французской компанией eVaderis, специализирующейся на разработке IP-решений для передовых технологий памяти, включая технологию MRAM. «Мы создали универсальный чип памяти, назначение которого – быть платформой для развития технологии в широком диапазоне размеров стэка (MTJ), а также токов и напряжений, управляющих ячейкой. Благодаря гибкой периферии, чип может также использоваться для тестирования коммерческих предложений», – заявил Вирджиль Жаверлияк, заместитель генерального директора компании eVaderis.
Технологию MRAM относят к технологиям памяти нового поколения; по своим ключевым показателям: энергонезависимости, низкому энергопотреблению, высокой скорости записи и чтения, простоте и дешевизне процесса интеграции, практически неограниченному числу циклов перезаписи и масштабируемости — она является идеальным кандидатом для создания встраиваемой памяти для интернета вещей (IoT). Помимо этого, технология MRAM наилучшим образом подходит для применений, требующих повышенной надёжности, благодаря почти полному отсутствию деградации со временем, крайне незначительным токам утечки и температурной стабильности.
«Производственные мощности КНЭ изначально оптимизированы для производства MRAM; это наша корневая технология, и мы рады, что достигли сравнительно быстрого и убедительного прорыва в ее разработке. Проектирование коммерческих продуктов MRAM ещё займет определенное время, однако у нас теперь есть четкое понимание наших дальнейших действий, и мы рассчитываем получить инженерные образцы уже в 2018 году», – отметил заместитель генерального директора по развитию бизнеса Владимир Крупник.
ООО «Крокус Наноэлектроника» — первое российское производство, специализированное на завершающих циклах полупроводниковых техпроцессов (BEOL), работающее на пластинах 300 мм и с технологическими нормами 65-90 нм. Предприятие, построенное в Москве в 2015 году, оснащено передовым производственным оборудованием и может обрабатывать до 4000 полупроводниковых пластин в месяц. В настоящее время КНЭ активно работает по внедрению инновационных технологий памяти (MRAM, RRAM) и разработке электронных компонентов на их основе, а также по целому ряду быстроразвивающихся направлений в микроэлектронике: магнитным датчикам, биочипам, планарным пассивным компонентам и интерпозерам.
eVaderis – компания, созданная в 2014 году, ставшая первой в мире компанией, предлагающей инновационные IP-решения для передовых технологий памяти, включая MRAM и RRAM. eVaderis осуществляет услуги по проектированию, а также по разработке специализированных и высокоэффективных аппаратных блоков, предназначенных для построения: компонентов энергонезависимой памяти нового поколения, компиляторов, логических библиотек и микропроцессорных подсистем, прокладывая путь к новым принципам проектирования.