В рамках конференции и выставки ARM TechCon, которая пройдет с 30-го октября по 1-е ноября в Санта-Кларе, будут обсуждаться вопросы, связанные с 14-нм производством ИС.
Ларс Либман (Lars Liebman), знаменитый инженер из IBM, и Грегг Йерик (Greg Yeric), ведущий разработчик ARM, выступят 30-го октября на семинаре и расскажут о тех трудностях, которые возникают при использовании шаблонов для изготовления ИС с помощью непланарной технологии FinFET. Либман, который в настоящее время работает в дизайн-центре IBM, занимается вопросами оптимизации фотолитографических методов с использованием самых современных проектных норм. Йерик работает над оптимизацией технологий проектирования и разработкой IP-блоков.
 |
На семинаре будут также обсуждаться вопросы применения фотолитографии глубокого ультрафиолета (EUV) и то, насколько эффективно метод двойного экспонирования восполняет недостаток в пока неосвоенной технологии EUV. Докладчики расскажут о том, как упростить применение методов многократного экспонирования. Кроме того, будут рассмотрены основные принципы технологии FinFET и ее влияние на физические IP-блоки и процессорные IP-блоки более высокого уровня. Таким образом, речь пойдет о том, какие трудности ожидаются на пути использования FinFET для построения будущих ARM-ядер. Доклад завершится оценкой энергопотребления, производительности, занимаемой площади и стоимости 14-нм микросхем.
На панельной дискуссии под громким названием “The era of extreme mobility; the finflection point” («Эра мобильных устройств: переломный момент») будут обсуждаться достоинства технологии FinFET, в частности, эффективность ее применения в мобильных электронных устройствах.
Для тех, кто сомневается в перспективах использования FinFET, Горацио Мендес (Horacio Mendez), исполняющий обязанности председателя в консорциуме SOI Industry Consortium, выступит с докладом, в котором расскажет о применении 20-нм техпроцесса FDSOI (fully depleted silicon-on-insulator – полностью обедненный кремний).
Докладчик опишет FinFET-транзисторы с оксидной изоляцией и планарные транзисторы, которые, по его мнению, имеют несомненные преимущества над своими аналогами. В качестве доказательства своей правоты Мендес приведет данные на уровне устройства и схемы, которые позволяют сравнить частотные характеристики и энергопотребление. В ходе его доклада будут обсуждаться вопросы переносимости IP-ядер, что немаловажно при миграции проектов.
Организаторами мероприятия ARM TechCon является компания UBM Electronics, владелец EE Times.
Источник: EE Times
Читайте также:
Полупроводниковый бизнес IBM достанется GlobalFoundries?
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
На конференции ARM TechCon покажут 25-долларовый компьютер Pi
Путь полупроводниковой отрасли на 10 лет вперед
Создан консорциум по продвижению SOI
ARM, IBM, STMicroelectronics и Globalfoundries объединяются против Intel
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
Производительность завтрашних систем