Компания SK Hynix начинает массовый выпуск 48-слойной 3D NAND


Следующим этапом, как уверяют в компании, станет разработка и внедрение в производство 72-слойных микросхем 3D NAND.

По данным интернет-ресурса The Korea Economic Daily, до конца ноября компания SK Hynix приступит к выпуску 48-слойной памяти 3D NAND. В течение декабря ежемесячные объёмы производства могут достичь 20-30 000 пластин диаметром 300 мм. Сообщается, что к настоящему дню SK Hynix ежемесячно выпускает только 10 000 пластин с 36-слойными микросхемами 3D NAND. Очевидно, что такие объёмы нельзя назвать внушительными, тогда как компания Samsung уже не первый год каждый месяц выпускает на порядок больше пластин с памятью 3D NAND (от 40 000 до 100 000).

Согласно ранним планам SK Hynix, 36-слойная память 3D NAND выпускается ёмкостью 128 Гбит на кристалл и MLC-ячейкой (кристаллы могут упаковываться в стек, что позволяет доводить ёмкость отдельных микросхем до 256 ГБ). Микросхемы SK Hynix 3D NAND с 48 слоями будут выпускаться в виде кристаллов ёмкостью 256 Гбит с ячейкой TLC. Следующим этапом, как уверяют в компании, станет разработка и внедрение в производство 72-слойных микросхем 3D NAND. Эти планы должны быть реализованы в течение второй половины следующего года.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *