Компания ISSI начала поставки пробных партий микросхем памяти SDRAM DDR3L и DDR3 плотностью 8 Гбит. Микросхема DDR3L IS43TR16512AL рассчитана на напряжение питания 1,35 В, а DDR3 IS43TR16512A – на напряжение 1,5 В. Обе микросхемы имеют логическую организацию 512Mx16 и упаковываются в 96-выводные корпуса типа BGA.
В качестве основной области применения новых микросхем производитель указывает оборудование связи.
Сегодня память типа DDR3 встречается в самых разных компонентах коммуникационной аппаратуры, включая оборудование оптических линий, базовые станции, коммутаторы и маршрутизаторы. По словам производителя, появление в ассортименте компании микросхем памяти плотностью 8 Гбит обусловлено потребностями заказчиков, которые занимаются выпуском сетевого и коммуникационного оборудования верхнего сегмента.
 |
Кроме того, указанные микросхемы могут быть востребованы в медицинской, промышленной и автомобильной электронике.
Читайте также:
Samsung начинает серийный выпуск 20-нм чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит
Samsung и Hynix продолжают лидировать на DRAM-рынке
Корейские производители DRAM переходят на 20-нм техпроцесс
Доля DRAM-памяти для сегмента ПК впервые за 30 лет стала меньше 50%
Слияние Micron и Elpida изменит соотношение сил на рынке DRAM
Чипы памяти подорожали на 42% из-за пожара на фабрике SK Hynix в КНР
IC Insights: цены на DRAM будут расти
Источник: ISSI