Самый крупный мировой поставщик оборудования для микроэлектронного производства представляет новое оборудование для фотолитографии глубокого ультрафиолета (EUV)
По словам Питера Дженкинса (Peter Jenkins), вице-президента по маркетингу, голландская компания ASML занимается разработкой оборудования следующего поколения для EUV-фотолитографии — установки серии NXE:3300. Дженкинс добавил, что в 2011 г. заказчикам уже было отправлено шесть установок предыдущего поколения NXE:3100.
 |
Питер Дженкинс, вице-президент по маркетингу ASML (Фото: Патти Вонг, Digitimes, февраль 2012)
Расширение рынка мобильных устройств, включая смартфоны и планшетные ПК, создало огромный спрос на решения типа «система-на-кристалле» (СнК). Постоянное уменьшение размеров кристаллов и транзисторов на них ориентировано на удовлетворение конечных потребностей рынка и является отображением действия закона Мура. Следуя этим тенденциям, компания ASML вложила значительные ресурсы в исследования и разработки сканеров для фотолитографии глубокого ультрафиолета (Extreme Ultraviolet, EUV) и мультиэкспозиционной иммерсионной (жидкостной) фотолитографии, предназначенных для процессов с более тонкими технологическими нормами производства.
При создании оборудования для EUV-фотолитографии всё ещё остаётся не решённым ряд некоторых технологических проблем, считает Дженкинс. Например, мощность источника света.
Установки серии NXE:3100 будут использоваться в процессах производства кристаллов с технологическими нормами 16 нм. В будущем компания ASML рассчитывает на использование своего оборудования и для техпроцессов с нормами 7 нм.
Кроме того, Дженкинс сообщил, что компания ASML приступила к созданию оборудования для работы с пластинами диаметром 450 мм (18 дюймов). Оборудование для иммерсионной фотолитографии будет модернизировано с целью работы с пластинами большего диаметра без потерь в скорости и выходе годных кристаллов, чтобы не создавать новых проблем для разработчиков.
Источник: DigiTimes
Читайте также:
Дискуссия о перспективах субмикронной литографии и 450-мм пластин
Российская микроэлектроника 2011/2012: итоги и прогнозы
ARM: большие трудности и огромные возможности
Ученые из Массачусетского института технологий добились 9-нм разрешения
ASML отмечает снижение количества заказов
Цена EUV-сканера превысила 120 млн долл.
Битва между Globalfoundries и TSMC на пути к 20 нм и далее
Варианты развития рынка полупроводников в 2011 г.
Саммит альянса Common Platform: рынок мобильной и беспроводной связи и переход на 20 нм
Пять нестыковок в докладе вице-президента IBM
Qualcomm перечисляет основные трудности в производстве микросхем
Субмикронная УФ-литография появится нескоро
Intel поделилась планами на ежегодном мероприятии Research@Intel Day
IMEC показала 22-нм память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии
Intel рассматривает обратную литографию, как альтернативу EUV