Австрийский производитель аналоговых микросхем AMS инвестировал более 25 млн евро для строительства специализированных производственных мощностей для выпуска 3D ИС на своей полупроводниковой фабрике возле г.Грац (Австрия), заявляя о "растущем спросе на многоярусные устройства".
AMS владеет патентами на интеллектуальную собственность (IP) в технологии стеков со сквозными межсоединениями через кремний (TSV).
 |
Запатентованная технология 3D интегральных схем: меньшие габаритные размеры, повышенная производительность. Источник: AMS
«Производственная линия 3D интегральных схем является значительной инвестицией для компании такого размера как AMS, и это демонстрирует нашу приверженность к проектированию и внедрению передовых аналоговых полупроводниковых технологий», — заявил исполнительный директор компании Кирк Лейни (Kirk Laney).
«Соединения TSV в 3D ИС могут заменить соединительные проводники, используемые в традиционных однокристальных устройствах, — сказал Кирк Лейни. — Для оптических полупроводниковых устройств исключаются требования чистоты корпусирования, что позволяет производить корпуса микросхем, которые меньше, дешевле и менее подвержены воздействию электромагнитных помех».
Два кристалла, созданных по разным техпроцессам — например, фотодиод и кремниевый сигнальный процессор — могут быть соединены обратными сторонами друг к другу и размещены в одном корпусе для экономии места и уменьшения длины соединений.
Линия была установлена на свободных площадях «чистой комнаты» и будет использоваться как для фаундри-заказчиков, так и для разработчиков компании.
«Сначала линия будет производить продукцию для заказчиков медицинских визуальных приборов и рынка мобильных телефонов», — сообщили в AMS. Компания, в которой работает 1300 сотрудников по всему миру, была ранее известна как Austria Microsystems, до того как в 2011 г. купила производителя оптических датчиков TAOS.
Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм
Tabula представит образцы 3D-ПЛИС на интеловском 22-нм FinFET-процессе
TSMC запланировала «системные 3-D-суперчипы», 5-нм технологию и «чип-мозг» на 2 нм
3D ИС созданы усилиями UMC и STATS ChipPAC
Переход индустрии на объемные ИС состоится в 2015–2016 гг.
TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс
Источник: Electronics Weekly