Компании Intel и TSMC собираются использовать EUV-сканеры по-разному


На прошедшей неделе в Сан-Хосе (США) состоялась 38-я ежегодная конференция SPIE Advanced Lithography. На форуме, организованном для обмена опытом между специалистами в области полупроводниковой литографии, ресурс EE Times взял интервью у глав профильных подразделений компаний TSMC и Intel.

Прежде чем привести подробности, напомним: TSMC и Intel летом 2012 г. вложили значительные суммы в виде инвестиций в компанию ASML – разработчика оборудования для полупроводниковой литографии из Голландии. При этом часть средств была направлена на разработку сканеров, действующих в сверхжестком ультрафиолетовом диапазоне (длина волны 13,5 нм). Компания ASML должна начать поставки первого условно коммерческого EUV-оборудования до конца 2014 г., чтобы оно могло войти в строй в 2015 г. Можно было бы ожидать, что TSMC и Intel едины в своих взглядах на применение нового инструмента. Но это не так.

Идея начать использовать EUV-излучение давно витает в воздухе. Еще в начале 2000-х компания Intel заявляла, что сможет начать работать с EUV-сканерами в 2007 г. применительно к полупроводникам, выпускаемым по технормам 45 нм. Но в итоге этого не произошло. Вместо использования литографии с новым диапазоном излучения Intel выбрала технологию применения двух фотошаблонов и двух проходов в процессе обработки пластин. Можно сказать, что у компании Intel самый богатый опыт в использовании для каждой пластины нескольких фотошаблонов. Что касается компании TSMC, то она впервые прибегнет к данному методу только в рамках освоения производства с техпроцессом 20 нм. В результате Intel не исключает того, что первое время EUV-литографии в чистом виде не будет, а может появиться комплементарная или гибридная литография, когда каждая пластина обрабатывается последовательно старыми 197-нм и новыми 13-нм сканерами. В принципе, по мнению Intel, будет экономически целесообразно применять для выпуска 10-нм полупроводников четыре, а то и пять фотошаблонов, что благополучно вписывается в концепцию гибридной фотолитографии.

Противоположный подход у компании TSMC: ее специалисты считают, что правильно обрабатывать одну пластину лишь за один проход сканера. По всей видимости, из-за этого потребуется модернизация EUV-оборудования даже в случае перехода от норм 10 нм на нормы 7 нм. Но зато так может быть достигнута значительная экономия средств в пределах каждого техпроцесса.

Читайте также:
Intel заморозила запуск завода стоимостью 5 млрд долл. по выпуску 14-нм процессоров
Intel разместила заказы на 28-нм чипы у TSMC, Globalfoundries и UMC
Intel на перепутье: колосс зашатался и свернул с дороги?
Из Intel бегут лучшие кадры: корпорацию покинул еще один процессорный гуру
Intel откладывает выпуск своих первых 14-нм процессоров на фоне снижения прибыли и высокой «плотности дефектов» в чипах
У Intel обрушилась выручка и прибыль. Акции обвалились
В 2014 г. продажи мобильных чипов TSMC вырастут более чем на 35%
Моррис Чанг откажется от роли директора TSMC в июне 2014 г.
TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм
Апрельские продажи TSMC скакнули на четверть
TSMC выделит 1,5 млрд долл. США на НИОКР
Борьба за 450-мм пластины и литографию жесткого ультрафиолета обещает быть долгой
TSMC вложит 3 млрд долл. в расширение производства по новейшей технологии
TSMC прогнозирует рост производства в течение ближайших 4 лет
Директор TSMC Моррис Чанг понизил прогноз роста рынка ИС

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *