Компанией Samsung разработана первая в мире микросхема памяти емкостью 4 Гбит


Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Она выполнена с соблюдением 50-нм технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 Гбайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.

Для работы 4-Гбит чипа памяти DDR3 необходимо напряжение в 1,35 В. Это на 20% меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3. Энергопотребление 16-Гбит модуля DDR3 на базе 4-Гбит микросхем на 40% меньше энергопотребления аналогичного модуля, созданного на основе 2-Гбит чипов.

Представители Samsung подчеркивают, что 4-Гбит чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16-Гбит серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой 8-Гбит модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.

В сентябре 2008 года Samsung анонсировал 2-Гбит чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нм технологии. В настоящее время линейка 50-нм чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом 1, 2 и 4 Гбит.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *