По мере того как производители памяти ускоряют переход к 300-слойным чипам NAND, компании Kioxia и SanDisk продвигаются еще дальше.
По данным TrendForce, компании первыми в мире разработали четырехъядерные ячеейки (QLC) с использованием многослойной КМОП-матрицы (MSA-CBA), в которой реализована технология прямого соединения пластин с помощью меди. Это считается ключевым шагом на пути к созданию 3D-памяти NAND сверхвысокой плотности, превышающей 1000 слоев.
Kioxia и SanDisk совместно представят прорыв на симпозиуме по СБИС 2026 года на Гавайях 14-18 июня.
В предварительных технических обзорах Kioxia и SanDisk представили схематические изображения структуры устройства MSA-CBA (Multi-Stacked Cell Array — CMOS Bonded Architecture), иллюстрирующие последовательное размещение и соединение элементов, а также изображения, полученные с помощью сканирующего электронного микроскопа с фокусированным ионным пучком (FIB-SEM), на которых видны многослойные массивы, состоящие из двух пластин с 218 ячейками.
Примечательно, что Kioxiaнаметила план по созданию 1000-слойной 3D-памяти NAND еще в 2024 году. По прогнозам Kioxia, к 2027 году плотность кристаллов NAND может достичь 100 Гбит/мм², а также появится 3D-память NAND с 1000 слоев.
По данным BLOCKS & FILES, количество слоев 3D-памяти NAND увеличилось с 24 в 2014 году до 238 в 2022-м — примерно в 10 раз за восемь лет. Согласно модели Kioxia, ежегодный прирост составит около 1,33 раза, что делает достижение показателя в 1000 слоев к 2027 году технически возможным при сохранении текущих темпов. Последнее достижение, о котором будет объявлено на симпозиуме по сверхбольшим интегральным схемам в 2026 году, похоже, является обнадеживающим сигналом о том, что компания уверенно движется по намеченному пути.