Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники


Компания Dongguan Tianyu Semiconductor Co., учрежденная в 2009 г., приступила к поставкам эпитаксиальных карбидо-кремниевых пластин за пределами Китая после подписания трех контрактов в августе 2012 г.

Эта китайская компания осуществляет поставки 4-, 3- и 2-дюймовых пластин при ежемесячном объеме выпуска в 10 тыс. шт.

Карбидо-кремниевые пластины используются в производстве диодов Шоттки, транзисторов MOSFET, JFET и BJT с широким диапазоном рабочих напряжений. В свою очередь, эти устройства применяются в силовой электронике, начиная с кондиционеров, инверторов для солнечных батарей, ветровых турбин и заканчивая электромобилями, скоростными поездами и системами энергоснабжения.

В то же время компания Cree предлагает карбидо-кремниевые пластины N-типа большего диаметра – 150 мм (6 дюймов) с однородными слоями толщиной 100 мкм. По объемам производства 100-мм эпитаксиальных пластин компания Cree не знает себе равных, а технология выпуска 150-мм пластин задает новые стандарты для этого типа изделий на карбиде кремния.

Источник: EE Times

Читайте также:
Последние достижения в графеновой электронике
Особенности технологии производства светодиодных светильников
Прислушаться к Дэн Сяопину: электронная стратегия России

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *