Cоздан полевой транзистор из графена (graphene FET) - материала, представляющего собой слой графита (углерода) толщиной в один атом, на поверхности [[кремниевой подложки]]
Ученые из исследовательского центра IBM T.J. Watson Research Center (Yorktown Heights, N.Y.) создали полевой транзистор из графена (graphene FET) — материала, представляющего собой слой графита (углерода) толщиной в один атом, на поверхности кремниевой подложки.
Современные микросхемы изготавливаются главным образом из кремния. Однако, в ближайшие десятилетия роль кремния в производстве процессоров и микросхем может быть пересмотрена. Непрерывное уменьшение размеров транзисторов через некоторое время упрется в физический барьер, после которого делать более миниатюрные кремниевые транзисторы станет невозможно. В этом случае на смену кремниевым приборам могут прийти графеновые.
Технология далека от коммерческого использования. В настоящее время IBM работает над созданием дискретных радиочастотных графеновых приборов в соответствии с планами Defense Advanced Research Projects Agency (Darpa).