Исследователи заявили о создании кремниевого мемристора


Исследователи создали новый метод разработки мемристоров, который обеспечивает совместимость с существующими технологиями микроэлектроники и может быть коммерциализирован.

Существование мемристора было постулировано профессором Леоном Чуа (Leon Chua) в 1971 г., однако лишь в 2008 г. Стэн Уильямс (Stan Williams) создал это устройство на основе двуокиси титана. Блас Гарридо (Blas Garrido) (см. фото), профессор электроники из Университета Барселоны, утверждает, что мемристоры повысят производительность запоминающих устройств (ЗУ), их энергоэффективность и емкость. Предполагается, что емкость ЗУ увеличится в 10 раз, а энергопотребление сократится на два порядка. 

Цель исследования, ведущегося в рамках Европейского проекта LANCER (Light Amplifiers with Nanoclusters and Erbium), состоит в создании кремниевых мемристоров, работающих при температуре и давлении окружающей среды. По мнению профессора Гарридо, данный метод позволит разработать КМОП-устройства, совместимые с имеющейся технологией.

В устройстве, созданном учеными из Университета Барселоны и работающем на молекулярном уровне, многослойные структуры образуют проводящие каналы под воздействием внешнего поля. В этом устройстве используются пленки из оксида кремния толщиной 15 и 120 нм.

При протекании тока через устройство оно переключается между двумя устойчивыми состояниями ON (малое сопротивление) и OFF (большое сопротивление). Ток, необходимый для функционирования устройства, намного меньше, чем тот, который обеспечивает работу современных микропроцессоров, что позволяет существенно снизить рассеяние энергии.

Источник: New Electronics

Читайте также:
В НР создан новый элемент электронных схем
Теория мемристора несостоятельна?
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров
И снова — шумный спор о мемристорах
Мемристору – двести лет
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *