Исследователи создали моноокись графена для будущей электроники


Исследователи из Университета Висконсина-Милуоки обнаружили, что из графена можно создать полупроводник.

Возможности применения графена в электронных устройствах широко исследуются, т.к. этот материал характеризуется большей подвижностью электронов, чем те, которые применяются в кремниевых транзисторах. Однако до сих пор графен и его производные известны только в виде проводников и изоляторов.

Исследователи демонстрируют атомную структуру моноокиси графена. Фото: Alan Magayne-Roshak

Группа исследователей из Университета Висконсина-Милуоки получила производное вещество — моноокись графена (GMO), в котором атомы кислорода заключены в гексагональную углеродную структуру графена. Возможно, наличие полупроводниковых свойств у этого материала приведет к открытию нового направления — углеродной наноэлектроники.

Моноокись графена была обнаружена в процессе исследования возможности применения в датчиках гибридного наноматериала, состоящего из нанотрубок с присоединенными к ним частицами оксида олова.

По замыслу исследователей, в ходе нагрева оксида графена в вакууме должен был выделиться кислород и получиться многослойный графен. Однако при повышении температуры атомы углерода и кислорода стали выстраиваться в упорядоченную структуру моноокиси графена, не существующего в естественном виде.

Полученный материал обладает полупроводниковыми свойствами и имеет широкие перспективы применения в производстве электроники. Меняя температуру нагрева, исследователи получили четыре новых материала, которые были отнесены к категории GMO.

В настоящее время ученые определяют устойчивость моноокиси графена и возможность масштабировать этот материал для производства.

Источник: EE Times

Читайте также:
Химически модифицированный графен для новой электроники
У графена появился соперник — графин
Новые возможности суперконденсаторов с графеновыми электродами
Графеновые микросхемы толщиной в один атом углерода могут создаваться крупносерийно

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *