Как сообщает ресурс EETimes со ссылкой на Пола Эшби (Paul Ashby), одного из сотрудников исследовательской лаборатории Berkeley Lab, компания Intel совместно с Berkeley Lab занимается разработкой фоторезиста для применения в литографической проекции с технормами ниже 10 нм.
Современный фоторезист, который применяется для проекции со сходными нормами, отличается высокой механической стабильностью, однако имеет низкую чувствительность, что дает возможность без проблем применять его в случае электронно-лучевой проекции, однако не позволит использовать его в случае литографии с применением крайнего УФ-излучения (EUV).
 |
Для того чтобы EUV-излучение не смогло повредить чип, «засветка» должна продолжаться примерно 1 фемтосекунду (т.е. миллиардную долю микросекунды). За это время нет возможности создать достаточный поток фотонов для получения четко очерченных контуров фотошаблона. Необходим новый фоторезист или, как его называют разработчики, суперфоторезист. Исследователи изучают возможность комбинирования современных материалов для создания фоторезиста, который обеспечит для EUV-литографии высокую светочувствительность, механическую устойчивость и четкость изображения и контуров. Поскольку начало практического использования EUV-литографии ожидается не ранее 2017 г, у исследователей еще имеется время, чтобы получить новый фоторезист с необходимыми качествами.
Читайте также:
Компании Intel и TSMC собираются использовать EUV-сканеры по-разному
Intel заморозила запуск завода стоимостью 5 млрд долл. по выпуску 14-нм процессоров
Intel разместила заказы на 28-нм чипы у TSMC, Globalfoundries и UMC
Intel на перепутье: колосс зашатался и свернул с дороги?
Из Intel бегут лучшие кадры: корпорацию покинул еще один процессорный гуру
Intel откладывает выпуск своих первых 14-нм процессоров на фоне снижения прибыли и высокой «плотности дефектов» в чипах
Источник: EE Times