Intel описала техпроцесс по созданию 22-нм СнК

На прошедшем форуме для разработчиков (Intel Developer Forum) компания Intel представила свой взгляд на 22-нм систему-на-кристалле, однако не уточнила, как будут изготавливаться СнК на базе процессоров Atom по этому процессу.

По словам Марка Бора (Mark Bohr), директора отдела технологий и производства, если четыре-пять лет назад Intel не уделяла должного внимания системам-на-кристалле, то теперь ее отношение к этому вопросу изменилось. Успех Medfield, 32-нм платформы для смартфонов, свидетельствует о правильности выбранной технологии и сулит конкурентные преимущества на 22 нм.

На форуме IDF компания Intel представила шесть смартфонов и четыре планшета на ОС Windows 8, в которых используется 32-нм СнК Medfield.

В настоящее время компания уже поставляет ОЕМ-производителям 2-ГГц версии Clover Trail –мобильной платформы с усовершенствованной графикой. 1,8-ГГц версия для планшетов уже используется в устройствах.

Ожидается, что Bay Trail, новая версия платформы для 22-нм СнК для планшетов и смартфонов, будет представлена на форуме IDF в Пекине.

Бор также рассказал о P1271 – техпроцессе для производства 22-нм СнК, используемых в платформе Bay Trail. Он отличается от 22-нм техпроцесса изготовления процессоров Ivy Bridge тем, что обеспечивает меньший ток утечки в блоке логики, более высокое напряжение для транзисторов системы ввода-вывода, более плотное размещение межсоединений на верхнем уровне и ряд прецизионных резисторов, конденсаторов и дросселей.

На форуме разработчиков Intel показала этапы техпроцесса для 22-м СнК

Новый техпроцесс обеспечивает широкий набор параметров разных элементов – транзисторов, системы ввода-вывода, межсоединений, пассивных компонентов и встраиваемой памяти. Транзисторы новых СнК характеризуются меньшим током утечки, но проигрывают в производительности.

Аналоговые характеристики этого процесса значительно превосходят возможности нынешней 32-нм планарной технологии. В нижних металлических слоях СнК используются 80-нм элементы, т.к. это наименьшие элементы, которые можно создать на 22 нм, не используя метода двойного экспонирования. Эта технология применяется на трех фабриках Intel – двух в США и одной в Израиле. В ближайшее время производство по этому техпроцессу начнется еще на двух фабах.