Intel и Samsung сохранили лидерство среди производителей полупроводников


Как сообщает сайт YonhapNews, ссылаясь на информацию аналитической компании IHS, стало известно о текущей расстановке сил среди производителей полупроводников.

Источник сообщает, что лидером этого сегмента по-прежнему остается Intel. Компания выручила за прошлый год 46,98 млрд долл., что меньше на 0,9%, чем показатель 2012 г. Также зафиксировано и снижение доли компании на рынке: с 15,6% до 14,8%.

При этом Samsung постепенно догоняет конкурента. В отличие от Intel, корейский производитель занимается выпуском продукции, ориентированной в первую очередь на мобильный сегмент. Стоит упомянуть, что одних только смартфонов за прошлый год было выпущено более миллиарда. Поэтому неудивительно, что Samsung удалось увеличить не только выручку (на 8,2% до 33,82 млрд долл.), но также и долю на рынке (с 10,3% до 10,6%).

Помимо этого, Samsung является на сегодняшний день лидером сегмента микросхем памяти. Что интересно, на фоне увеличения выручки на 15,7% до 21,67 млрд долл., корейский производитель потерял долю рынка (с 35,4% до 33,1%).

Источник сообщает также об успехах еще одного крупного производителя полупроводников – SK Hynix. Хотя доля компании относительно невелика, и за год смогла вырасти с 3% до 4%, этот производитель добился увеличения выручки на 42,8% до 12,81 млрд долл. В целом же этот рынок вырос на 5%, что составило суммарно 318,15 млрд долл. в денежном эквиваленте.

Читайте также:
IC Insights: Intel остается лидером по расходам на исследования и разработку
Компании Intel и TSMC собираются использовать EUV-сканеры по-разному
Intel не спешит переходить к интерфейсу Thunderbolt 3-й версии
В Китае запущено новое производство Samsung по выпуску флеш-памяти
Samsung разработала первый в мире 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Samsung спасет Sharp и заодно японскую электронную индустрию?

Источник: YonhapNews

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *