Intel и Micron представили энергонезависимую память, которая похоронит NAND-флэш


Революция на рынке энергонезависимой памяти, о которой так долго твердила компания HP, свершилась! Первыми память типа ReRAM начнут массово выпускать компании... Intel и Micron.

Согласно официальному пресс-релизу партнёров, создан совершенно новый тип энергонезависимой памяти, которая в 1000 раз быстрее NAND-флэш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее DRAM. Инновационная память получила коммерческое имя 3D XPoint. При этом себестоимость производства 3D XPoint лежит в промежутке между себестоимостью производства NAND-флэш и DRAM, а скорость доступа приближается к скорости работы привычной оперативной компьютерной памяти.

Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут вскоре поставляться партнёрам Intel и Micron. Массовое производство стартует к концу текущего года или в начале следующего, чтобы уже в 2016 году появилась первая коммерческая продукция с использованием 3D XPoint. На начальном этапе на заводе в штате Юта на 300-мм пластинах с сохранением традиционной BEOL-обвязки будут выпускаться двухслойные микросхемы 3D XPoint объёмом 128 Гбит (64 Гбит на слой). Число слоёв в перспективе можно увеличивать, как и записывать в ячейку больше одного бита (пока представлена однобитовая ячейка).

Разработчики признают, что память 3D XPoint может считаться резистивной (ReRAM), но она использует иные механизмы для записи данных, если говорить о распространённых среди разработчиков памяти ReRAM подходах. В массе память ReRAM опирается на насыщение ячейки памяти ионами рабочего материала, расположенного под ней (в основном ионами меди или серебра). В ячейке памяти возникают устойчивые токопроводящие нити из ионов: создаётся отличное от бесконечности сопротивление в цепи. По словам представителя Intel, запись в ячейку 3D XPoint не использует «нитевидную» структуру и является «монолитной». В любом случае, в отличие от пресловутого мемристора компании HP память 3D XPoint как никакая другая разновидность ReRAM близка к выходу на рынок. И это замечательно!

Читайте также:
Micron и Sony продемонстрировали чип 16-Гбит резистивной памяти RRAM
Tezzaron называет срок начала серийного выпуска памяти ReRAM
Sony и Micron Technology представили быструю память ReRAM плотностью 16 Гбит
Прототип памяти Crossbar ReRAM в 20 раз превзошел NAND-флеш по скорости доступа
Toshiba займется производством памяти ReRAM лишь в 2020 году
Разработана низковольтная ReRAM-память, хранящая до 9 бит в ячейке
ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики
Гаджеты и компьютеры получат терабайты памяти ReRAM

Источники: Intel, Micron, Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *