Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии


Бельгийский микро- и наноэлектронный научный центр провел сравнение одной планарной и двух FinFET-технологий, чтобы выяснить возможности их масштабирования и зависимость от колебаний параметров процесса.

Тестируемыми цепями были 6-транзисторные ячейки и массивы SRAM. Сотрудники IMEC пришли к выводу, что технология FinFET превосходит планарную КМОП-технологию по выходу годных SRAM.

Обе технологии – FinFET on bulk и FinFET on silicon-on-insulator (SOIFF) оказались совершеннее, чем планарная технология для массивов SRAM среднего и крупного размеров, о чем свидетельствует выход годных. При этом IMEC не сообщил, на каких технологических нормах были проведены эти тесты. Вполне вероятно, это были 28 и 22 нм.

По мере того как размеры устройств уменьшаются, вариации электрических параметров КМОП-транзисторов увеличиваются. Это явление обусловлено случайными флуктуациями плотности примесей в канале, стоке и истоке. В результате два близко расположенных идентичных транзистора могут вести себя по-разному. Такое поведение делает проектирование ячеек SRAM-памяти менее предсказуемым и контролируемым при переходе на новый технологический узел.

На нормах ниже 22 нм изготовление 6-транзисторной планарной SRAM-памяти осложняется. При этом у FinFET-устройств меньше токи утечки и вариативность, что позволяет проектировать более компактные ячейки.

Обе FinFET-технологии оказались совершеннее планарной для SRAM-массивов, объем которых превышал 128 Кбайт. Они менее чувствительны к несоответствиям параметров, что позволяет смело выполнять масштабирование источника питания и устанавливать меньшее VCC, чем у планарных массивов. У нелегированных SOIFF-транзисторов питание ниже на 200 мВ по сравнению с планарной технологией. Выход готовых нелегированных SOIFF-транзисторов составил 95% для 0,7-В 32-Мбит SRAM-массивов.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *