IMEC показала 22-нм память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии

Литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV) позволила исследователям создать, по их утверждению, первую в мире работоспособную память типа SRAM, используя 22-нм техпроцесс CMOS.

Ячейки памяти состоят из транзисторов FinFET. Два слоя в структуре чипа сформированы с применением экспериментальной версии оборудования для EUV-литографии производства компании ASML (первая иллюстрация).

++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++

На второй иллюстрации показан массив ячеек SRAM после завершения одного из этапов техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 0,099 мм2, что вдвое меньше, чем площадь такой же ячейки, изготовленной с соблюдением норм 32 нм.

В своей работе IMEC сотрудничает с Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, Hynix, Powerchip, Infineon, NXP, Qualcomm, Sony и STMicroelectronics.

+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++

По материалам IMEC

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Rambler's Top100