IMEC интегрировала GeSn в 10-нм КМОП техпроцесс


Бельгийско-японская команда ученых разработала улучшенный метод интеграции олово-германиевых пленок и MOSFET-транзисторов на кремниевые подложки. Это открывает путь к получению напряженных GeSn pMOSFET толщиной менее 10 нм.

Команда исследователей из Католического университета в Лёвене (Бельгия), IMEC (Межуниверситетского центра микроэлектроники в Лёвене, Бельгия) и Японского национального института передовой промышленной науки и технологии (AIST) разработала процесс твердофазной эпитаксии, который преодолевает прежние ограничения на осаждение оловянно-германиевых пленок, такие как ограниченная растворимость олова в германии (0,5%), склонность к осаждению и большое несовпадение кристаллических решеток (>4%).

Интерес к GeSn связан с желанием использовать материалы с высокой подвижностью электронов, таких как германий, и возможностью улучшить подвижность с помощью искусственно созданного напряжения кристаллической решетки.

По заявлению команды IMEC, им впервые удалось получить на кремнии работающий беспереходный GeSn полевой МОП-транзистор р-типа с обедненным каналом. Использование кремниевой подложки должно значительно повлиять на снижение стоимости производства, а также позволит интегрировать традиционные КМОП и GeSn-транзисторы.

Команде удалось получить монокристаллические пленки толщиной 10 нм на кремнии, имеющем деформацию растяжения. «Это сокращает отличия в энергии прямого и непрямого межзонных переходов, что создает прямую запрещенную зону материалом IV группы», — сказано в пресс-релизе IMEC. «Дальнейшие исследования сосредоточатся на оптимизации GeSn MOSFET транзисторов на кремнии для дальнейшего повышения подвижности в канале», — сообщила IMEC.

Изображение сечения металлического NiGeSn-истока и стока MOSFET-транзистора, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа (получено IMEC).

Доклад об этой разработке был представлен на конференции «Твердотельные устройства и материалы» 25 сентября в г.Фукуока (Япония).

Читайте также:
Твердофазная эпитаксия позволяет получить упруго-напряженные GeSn МОП-транзисторы на кремнии
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств «нитрид галлия на кремнии»
IMEC уменьшает флеш до технормы менее 20 нм
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
Углеродные транзисторы IBM перешагнули барьер производительности
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Норвежские инженеры вырастили арсенид галлия на графене

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *