Компании Imec и Veeco Instruments объявили о сотрудничестве в проекте, цель которого - снижение стоимости производства силовых приборов и светодиодов на основе нитрида галлия на кремнии (GaN-on-Si).
В рамках проекта Imec воспользуется оборудованием металлоорганической гидридной эпитаксии (MOCVD) компании Veeco, которое обеспечивает хорошую повторяемость, однородность и высокое качество кристаллов. Назначение исследовательского центра — сформировать полную производственную инфраструктуру, чтобы сделать технологию GaN-on-Si конкурентоспособной.
Программа компании Imec по исследованию и разработке нитрида галлия на кремнии, в которой задействовано много партнеров, объединяет отрасль для совместного проектирования нитрид-галлиевых светодиодных и силовых приборов мирового уровня на 200-мм кремниевых подложках совместимых с 200-мм КМОП-совместимой инфраструктурой. Объединив силы в Imec, компании распределяют расходы, специалистов и интеллектуальные продукты для разработки передовых технологий и скорейшего вывода их на рынок.
Джим Дженсон, старший вице-президент и генеральный директор Veeco MOCVD прокомментировал так: «Мы работали с IMEC над этой программой с 2011 г. и мы воодушевлены нашим прогрессом. Наша работа является взаимовыгодной, потому что мы все сосредоточены на возможности снизить затраты, при этом обеспечивая мировой уровень устройств на основе нитрид галлия на кремнии».
Читайте также:
Plessey представила образцы светодиодов GaN-на-кремнии
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Toshiba становится самым важным игроком среди производителей кремниевых LED-подложек
Bridgelux и Toshiba объявили о создании светодиода GaN-на-Si
Цены на реакторы MOCVD падают
«Нитрид галлия на кремнии» штурмует рынок светодиодов
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Рынок реакторов MOCVD дла GaN LED достигнет дна в первой половине 2012 г.
Источник: EE Times Europe