IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти

В связи с тем, что традиционная технология производства полупроводников скоро достигнет своего предела в сегменте NAND флеш-памяти, производители микросхем памяти начинают внедрять 3-D технологию, чтобы нарастить емкость своих изделий.

По данным доклада Flash Dynamics аналитической компании IHS, к 2017 г. около двух третей, или 65,2% всех NAND-микросхем памяти, проданных во всем мире, будут произведены с использованием 3-D-производственных процессов. В этом году этот показатель не превышает 1%. Доля 3-D-технологии во всем NAND-рынке подскочит до 5,2% в 2014 г., а затем получит импульс до 30,2% всех поставок флеш-памяти в 2015 г. В 2016 г. 3-D NAND-память увеличит свою рыночную долю до 49,8%, представляя почти половину всего рынка флеш-памяти.

Прогноз доли 3-D NAND в общем объеме производства флэш-памяти, в % от количества продукции

«По всеобщему мнению, осталось всего одно или два поколения традиционных планарных полупроводниковых техпроцессов NAND флеш-памяти, пока будет достигнут теоретический предел, — сказал Ди Робинсон (Dee Robinson), старший аналитик технологий памяти и хранения информации в IHS. — С дальнейшим уменьшением процессов литографии быстродействие и надежность могут значительно ухудшиться и NAND флеш-память можно будет использовать только в очень дешевой потребительской продукции. Из-за того, что производители NAND флеш-памяти вынуждены строить свои изделия с большими плотностями и меньшими ценами, они быстро перейдут к 3-D-производству в ближайшие годы».

Главной силой, заставляющей производителей NAND флеш улучшать свою продукцию, является спрос на такие устройства, как планшеты и смартфоны. Эти устройства требуют более высокой емкости и дешевого хранилища информации, включая картинки, музыку и видео.

Исторически производители NAND флеш-памяти делали упор на миниатюризацию для увеличения емкости и снижения стоимости своей продукции. Миниатюризация — это процесс уменьшения ячеек NAND флеш-памяти с каждым поколением техпроцессов, позволяющий производителям размещать больше бит на кремниевой подложке.

В 3-D-технологии акцент делается не на миниатюризации, а на увеличении плотности с помощью увеличения числа слоев ячеек NAND флеш-памяти. Это будет наиболее экономически целесообразным способом поднять NAND флеш-память на следующий уровень благодаря тому, что большая часть существующего производственного оборудования может быть и далее использована, уменьшая этим затраты и увеличивая отдачу инвестиций.

Samsung и SK Hynix, крупнейшие игроки мирового рынка памяти, объявили о своих начинаниях в создании 3-D NAND флеш-памяти в августе во время конференции Flash Memory Summit в Санта-Кларе (США).

Компания Samsung заявила, что коммерческое производство V-NAND — фирменное название компании для своей продукции 3-D флеш-памяти — началось во втором квартале. Конечным продуктом станет твердотельные накопители на основе V-NAND емкостью 480 ГБ и 960 ГБ, первоначально ориентированные на промышленный рынок. Samsung заявляет, что V-NAND будет надежнее, чем 1х-нанометровая NAND флеш-память, будет обладать меньшим энергопотреблением и большим быстродействием, как при последовательной, так и произвольной записи.

IHS полагает, что разница в стоимости между твердотельным накопителем на основе V-NAND и традиционной флеш-памяти будет довольно существенной, что объясняет, почему Samsung ориентирует это продукт в первую очередь на промышленный рынок.

Главный соперник Samsung — SK Hynix — также планирует выпускать 3-D NAND. Ее первый 3-D продукт будет очень похож на V-NAND от Samsung и будет обладать емкостью 128 ГБ. Это является частью стратегии двух направлений. Компания также испытывает новую 16-нм продукцию.

Хотя и Samsung, и SK Hynix ранее ссылались на внутренние разработки 3-D NAND флеш-памяти, график производства пошел быстрее, чем ожидалось, и это ускорение было значительно большим, чем ожидали специалисты отрасли.

Однако другие производители памяти решили продолжить выпуск планарной NAND, как минимум, еще на одно поколение, отодвинув 3-D планы на потом. В этой группе оказались такие производители, как SanDisk из Калифорнии, Micron Technology из Айдахо, Toshiba из Японии.

Подведя итог сказанному, поначалу производство 3-D NAND флеш-памяти будет очень ограниченным, и провести анализ отказов будет сложно из-за многоуровневой структуры изделия. «Тем не менее, первые выпуски высокопроизводительной продукции для промышленного сегмента позволят производителям получить прибыли и усовершенствовать технологические процессы, — полагает IHS, — даже если это будет несколько ранее, чем 3-D сможет существенно повлиять на рост отрасли в целом».

В любом случае, 3-D-гонка за NAND флеш-памятью уже началась, укрепляя планы развития новой технологии. Производители NAND флеш-памяти, уже обратившие внимание на перемены, в результате будут испытывать стремление внедрять инновации.

А отработка промышленного производства 3-D-микросхем на флеш-памяти позволит затем с меньшими расходами внадрыть аналогичные технологии в производство микросхем других типов — процессоров, контроллеров и пр.

Источник: EE Times Europe

Оставьте отзывОтмена