По информации аналитической компании IHS, ожидается дальнейшее проникновение подложек типа «нитрид галлия на кремнии» (GaN-on-Si) на светодиодный рынок с совокупным среднегодовым темпом роста 69% за период с 2013 по 2020 гг.
В 2013 г. 95% нитрид-галлиевых светодиодов будут изготовлены на сапфировых подложках, и только 1% – на кремниевых подложках. IHS полагает, что рост производства светодиодов GaN-on-Si с 2013 по 2020 гг. снизит рыночную долю сапфировых и карбид-кремниевых подложек.
«Изготовление крупных слитков сапфира является сложной задачей, в то время как доступны кремниевые подложки диаметром 8 и 12 дюймов, и, как правило, они дешевле и более распространены, – сказал Дкинс Чжо (Dkins Cho), старший аналитик рынка светодиодов и освещения в IHS. – Уже существует огромная отрасль производства на основе кремния, которая готова создавать прибыли от масштаба производства и снижать стоимость светодиодов».
Широко распространено мнение, что перепрофилирование производственных мощностей для перехода к светодиодам «нитрид галлия на кремнии», требует минимальных инвестиций. Компании, которые ранее изготавливали КМОП-полупроводники, уже располагают собственным действующим оборудованием по выпуску КМОП-устройств, которое может быть перестроено на изготовление светодиодов с минимальными изменениями. «Эти компании уже имеют собственный квалифицированный персонал и технологии, связанные с кремниевым производством», – указывает IHS.
«Многие из производителей КМОП-полупроводников, в отличие от традиционных поставщиков светодиодов, уже имеют отличные средства контроля, – продолжил Чжо. – Это должно способствовать увеличению процента выхода годных изделий благодаря контролю на месте. Однако навряд ли перепрофилирование произойдет быстро. Мы прогнозируем переход в течение ближайших лет».
 |
IHS: прогноз проникновения на рынок светодиодов типа нитрид галлия на кремнии на 2013–2020 гг. Составлено Digitimes по данным IHS, декабрь 2013 г.
Читайте также:
IHS: китайская Sanan может стать лидером производства GaN-светодиодов к концу 2014 г.
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств «нитрид галлия на кремнии»
Plessey представила образцы светодиодов GaN-на-кремнии
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
В III кв. 2013 г. китайские светодиодные компании начнут снижать цены на LED-продукцию
2013-й — год возможностей и рисков для индустрии светодиодного освещения
Актуальные тенденции рынка светодиодного освещения в 2013 г.
Bridgelux и Toshiba объявили о создании светодиода GaN-на-Si
Источник: Digitimes