IC Insights: лишь 25% чипов в мире производятся по технормам менее 40 нм


До сих пор около 22% мировых мощностей предназначено для п/п-технологий с нормами от 80 нм до 0,2 мкм, к которым относятся поколения техпроцессов 90 нм, 0,13 и 0,18 мкм! Категория >0,4 мкм занимает большую часть всех мощностей, несмотря на то, что она существует уже более полутора десятка лет.

Более четверти мощностей по производству подложек в мире предназначены для техпроцессов точнее 40 нм, сообщает IC Insights.

Лидеры производственных мощностей с наименьшими технормами на декабрь 2012 г.
(Рейтинг по доле от всего смонтированного оборудования в мире, в эквивалентной мощности для 200-мм пластин)
Столбцы: >0,2 мкм («крупноэлементный» техпроцесс); 80–200 нм («отработанный» техпроцесс); 40–80 нм («отстающий» техпроцесс); ≤40 нм («передовой» техпроцесс).
* Учтена доля мощностей совместных предприятий.

В конце 2012 г. около 27% мировых мощностей по производству пластин с чипами были заняты для выпуска компонентов по техпроцессам с нормами менее 40 нм. К этим компонентам относятся DRAM высокой плотности (обычно от 30 до 20 нм), флэш-память высокой плотности на основе техпроцессов от 20 до 10 нм, высокопроизводительные микропроцессоры и передовые ASIC/ASSP/FPGA компоненты на основе техпроцессов 32/28 или 22 нм.

Около 22% мировых мощностей предназначено для сегмента от 80 нм до 0,2 мкм, к которому относятся поколения техпроцессов 90 нм, 0,13 и 0,18 мкм  – «отработанные» техпроцессы, широко используемые «чистыми фаундри», включая TSMC, UMC, GlobalFoundries, SMIC и TowerJazz для производства широкого спектра продукции своей разноплановой клиентской базы.

Наименее распространенные технологии, во всяком случае, по доле от всех установленных мощностей, заняты техпроцессами от 80 до 60 нм (по сути, поколение 65 нм) и от 0,4 до 0,2 мкм (по сути, поколения 0,25 и 0,35 мкм).

Следует отметить, что категория >0,4 мкм занимает большую часть всех мощностей, несмотря на то, что она существует уже более полутора десятка лет с появления на тот момент передового техпроцесса 0,5 мкм. Основной причиной этого является то, что огромное количество компонентов широкого применения, таких как стандартные аналоговые компоненты и логика общего назначения, производятся на хорошо отлаженных техпроцессах с нормами, большими 0,4 мкм. К тому же, для высоковольтных интегральных схем требуются техпроцессы с крупной геометрией.

Samsung, Intel, Toshiba/SanDisk, SK Hynix и Micron возглавляют список компаний с наибольшими объемами самых современных производственных мощностей.

Крупнейшими владельцами мощностей с нормой техпроцесса более 0,2 мкм являются несколько производителей аналоговых и аналогово-цифровых микросхем.

Читайте также:
IC Insights: в 2013 г. пять крупнейших поставщиков ИС произведут две трети мирового объема 300-мм пластин
IC Insights: в 2013 г. грядет исторический сдвиг полупроводниковой индустрии
Во II кв. 2013 г. загрузка производственных мощностей в SMIC достигнет 90%
Gartner: в 2012 г. расходы на закупку технологического п/п-оборудования упали на 8,9%
Только шесть полупроводниковых компаний увеличат капитальные расходы в 2012 г.
«Ангстрем» оживит устаревшее 130-нм оборудование AMD при помощи 90-нм технологии IBM

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *