На конференции производителей электронных устройств IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting, 15-17 декабря 2008, Сан-Франциско) IBM представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нм технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 мкм2, ячейка будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В. Всего тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд транзисторов.
О создании 22-нм ячейки памяти SRAM IBM сообщила в августе текущего года. Помимо IBM, в ее разработке участвовали и другие компании из альянса производителей чипов, в частности, AMD.
Компания Intel планирует рассказать на IEDM 2008 о производстве ячеек памяти SRAM по 32-нм техпроцессу. Площадь одной такой ячейки равна 0,171 мкм2, емкость — 291 Мбит.
Помимо Intel, продемонстрировать свою ячейку памяти SRAM, выполненную по 32-нанометровому техпроцессу, на IEDM 2008 намерена компания TSMC. Емкость ячейки равна 2 Мбит, площадь — 0,157 мкм2.