Компания IBM сообщила о разработке высокочастотного графенового транзистора, способного работать на частоте около 100 ГГц.
Графен является особым видом графита, он представляет собой один слой атомов углерода, образующий гексагональную кристаллическую решетку. Специфические электрофизические свойства графена позволяют создавать на его основе более быстрые транзисторы.
Согласно опубликованным IBM документам, графен может стать основным кандидатом на использование в высокоскоростных электронных устройствах, вплоть до полного замещения кремниевых чипов. Однако перспективы имеет и смешанный материал на основе кремния и графена.
Созданный графеновый транзистор работает на частоте 26 ГГц и имеет размер около 240 нм. Как отмечается в сообщении, в ходе разработок была установлена обратная зависимость между размерами транзистора и его производительностью. Таким образом, увеличение рабочей частоты достигается с за счет уменьшения его размеров.
Тем не менее о скором переходе на массовое производство чипов на основе графена думать пока рано. Одной из основных проблем пока остается невозможность выпуска графена в промышленных масштабах при нынешнем уровне технологий. Также пока отсутствуют результаты тестов жизнеспособности нового материала (напомним, графен был впервые получен лишь в 2004 году). По предварительным оценкам, графен может прийти на смену кремнию лишь в 2025 году.