IBM пессимистично смотрят на EUV-литографию


По оценкам IBM, литография жесткого ультрафиолета (EUV), скорее всего, не будет готова для 10-нм техпроцесса и, возможно, придется ждать 7 нм.

Как заявили представители IBM на заседании альянса Common Platform Alliance, состоявшемся на днях в Нью-Йорке, литография жесткого ультрафиолета (EUV), скорее всего, не будет готова для 10-нм техпроцесса и, возможно, придется ждать 7 нм.

По заявлению Гэри Паттона (Gary Patton), вице-президента IBM по НИОКР, пока рано обсуждать сроки готовности EUV-литографии для 10 нм, поскольку речь идет не о технических сложностях реализации процесса, а о проблемах преодоления законов физики.

Уже многие годы ведутся работы  по получению требуемой мощности лазерного источника света. ASML удалось получить излучение мощностью до 40 Вт, но, по словам Паттона, для реализации процесса требуется не менее 250 Вт.

Установка ASML NXE3100 для EUV

В ASML заявили, что к середине 2014 г. компания будет готова представить установку с производительностью 70 пластин в час, но раньше ASML не сдерживала обещаний.

Intel, Samsung, TSMC

При этом генеральный директор ASML Эрик Морис (Eric Meurice) отметил, что компания продемонстрировала стабильные 40-Вт источники излучения против обещанных 105-Вт.

Компании Intel, Samsung и TSMC вложили около 5 млрд долл. в ASML , в том числе для разработок в области EUV.

В случае провала EUV-литографии, единственным выходом станет двукратное, трехкратное и даже четырехкратное экспонирование, что приведет к значительному удорожанию чипов.

Уменьшение технормы больше не приводит к увеличению производительности и/или снижению потребляемой мощности и, если при этом не будет уменьшаться стоимость, дальнейшее масштабирование процессов теряет всякий смысл.

Читайте также:
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования
TSMC и Intel присоединились к со-инвестиционной программе ASML
Samsung инвестирует в ASML вслед за Intel и TSMC
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
ASML и Cymer сообща создадут установку для EUV-литографии
Эксперты: иммерсионная фотолитография пока побеждает EUV-литографию
Как «спасти» закон Мура?
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
Создан источник излучения для EUV-литографии

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *