Корпорация IBM сделала еще один шаг вперед на пути освоения [[32-нанометрового технологического процесса]] производства полупроводниковых микросхем.
На предприятии IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) на 300-мм кремниевых подложках были изготовлены первые образцы чипов с применение 32-нанометровой технологии.
Техпроцесс IBM с нормами в 32 нанометра предполагает применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе гафния и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Методику high-k/metal gate (HKMG) уже использует корпорация Intel при выпуске процессоров семейства Penryn, изготавливающихся по 45-нанометровой технологии.
В IBM подчеркивают, что переход на 32-нанометровый техпроцесс позволит либо на 35% повысить производительность процессоров по сравнению с чипами, выполненными по 45-нанометрой технологии, либо снизить энергопотребление на 30-50% (в зависимости от рабочего напряжения). Предполагается, что в перспективе методику HKMG удастся адаптировать для 28-нанометрового, а затем и 22-нанометрового техпроцесса.
Наряду с экспертами IBM участие в исследованиях принимают специалисты компаний Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba. Альянс рассчитывает начать выпуск прототипов процессоров по 32-нанометровой технологии в третьем квартале, тогда как коммерческие продукты должны появиться в 2009 году. 32-нанометровый техпроцесс будет применяться при производстве чипов для беспроводных устройств (мобильных телефонов и коммуникаторов), игровых систем, мощных компьютеров корпоративного класса и серверов.
Кстати, Intel уже демонстрировла образцы микрочипов, выполненных по 32-нанометровой технологии. Ожидается, что данный техпроцесс будет внедрен на некоторых предприятиях Intel в 2009 году.