IBM и партнеры обещают освоить 32 нм к 2010 году


IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing и Samsung Electronics, Infineon Technologies AG и Freescale Semiconductor подписали серию соглашений, касающихся создания и освоения новых технологий производства [[полупроводниковых чипов]].

Компания Freescale Semiconductor подписали серию соглашений, касающихся создания и освоения новых технологий производства полупроводниковых чипов.

Соглашения между этими компаниями о совместной работе теперь включают 32-нм техпроцесс CMOS и совместное создание средств разработки (PDK). Вдохновленный успехами при совместном освоении норм 90, 65 и 45 нм, альянс полагает, что сможет повторить их и в случае 32 нм.

Используя накопленный опыт и ресурсы совместно, партнеры планируют создать соответствующий техпроцесс к 2010 году. Как утверждается, чипы, производимые по 32-нм нормам, будут предназначены для широкого круга приложений – от карманных электронных устройств до суперкомпьютеров.

Среди особенностей программы разработки названа фокусировка на экономичности и простоте техпроцесса, применение новых материалов (например, диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью — high-k) и иммерсионной литографии.

Используя общие спецификации, партнеры смогут обеспечить переносимость технологии между имеющимися в их распоряжении производственными мощностями. Как и ранее, опытное производство будет возложено на фабрику IBM в East Fishkill.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *