IBM и AMD представили пробный экземпляр «full field» EUV кристалла


Технология EUV литографии уже применялась для небольших областей кристалла, однако изготовить полностью слой в кристалле не удавалось. В представленном чипе первый слой металлических межсоединений изготовлен только с помощью EUV литографии

На Конференции SPIE Advanced Lithography, которая походит на этой неделе в Сан-Хосе (Калифорния), был представлен пробный (тестовый) кристалл, полностью изготовленный с применением EUV (Extreme Ultra-Violet) литографии. По своим характеристикам он не уступает чипам, изготовленным обычными методами, но имеет меньший размер.

В традиционном процессе литографии используется свет с длиной волны 193 нм, в то время как при EUV литографии длина волны составляет всего лишь 13,5 нм. Это позволяет изготавливать кристаллы меньшего размера и уменьшать проектные нормы до 22 нм.

Тестовые чипы были изготовлены на Fab 36 AMD в Германии с применением иммерсионной 193 нм литографии. Затем пластины были переданы в исследовательский центр IBM в США, где с помощью EUV-сканера компании ASML на них был сформирован первый слой металлизации (соединений между транзисторами).

Следующим шагом компании будет изготовление всех слоев кристалла новым способом. Предполагается, что процесс EUV литографии будет освоен и достигнет должного уровня к 2016 году.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *