Графеновые микросхемы толщиной в один атом углерода могут создаваться крупносерийно

Уникальные электрические свойства графена вдохновляют многих ученых на создание интегральных схем толщиной в один атом углерода. Однако на пути коммерческой реализации этих идей имеются определенные трудности.

Ученые из Университета Флориды недавно решили одну из таких проблем, связанную с крупносерийным производством графена.

Эта группа ученых разработала новый многообещающий метод создания графена на поверхности карбида кремния (SiC). При температурах около 1300°С атомы кремния покидают поверхность этого материала, в результате чего атомы углерода образуют пластины чистого графена. Прежде ученые использовали метод термического разложения для создания графеновых пластин большого размера, которые затем подвергались травлению до образования требуемых структур.

Однако в процессе травления могут появляться дефекты или химические примеси, которые уменьшают высокую подвижность электронов в графене. Метод, разработанный группой ученых из Университета Флориды, позволяет ограничить размер графеновой структуры 20-ю нанометрами. Исследователи обнаружили, что температура образования графена на поверхности карбида кремния, легированного ионами кремния или золота, уменьшалась приблизительно на 100°С. При этом ионы имплантировались только в те места, где требовалось образование графеновых слоев. Затем карбид кремния разогревался до 1200°С. При этой температуре беспримесный карбид кремния не образует графена, в отличие от легированных областей.

С помощью этого метода группа ученых создала наноразмерные графеновые ребра. Дальнейшее усовершенствование этого метода, описанного в журнале Applied Physics Letters Американского института физики, по мнению ученых, позволит избирательно выращивать графен при еще более низких температурах.

Источник: Science Daily

Оставьте отзывОтмена