Ученые из Лейбницкого института исследования твердых тел и веществ (Leibniz Institute for Solid State and Materials Research) заявили, что им удалось создать технологию, которая позволяет массово, выращивать графен.
Виктор Аристов (Victor Aristov), руководитель проекта, рассказывает, что для создания графена используются обычные кубические подложки SiC/Si диаметром меньше 300 мм — своего рода рекорд.
«Вопреки всеобщему мнению нам удалось вырастить графен на кубической подложке β-SiC так, чтобы ее воздействие минимально влияло на результат. Таким образом, мы получим совершенную платформу для создания электроники будущего», – говорят создатели.
Под «минимальным воздействием» имеется в виду то, что при отслаивании графен не теряет свои особые свойства, которые пытаются научиться применять ученые из различных стран, уверенные в том, что именно графен придет на смену кремнию.