Globalfoundries усовершенствует технологию создания сквозных межслойных соединений в чипах


Из сообщения ресурса EE Times стало известно, что на мероприятии IEEE International Interconnect Technology Conference, которое пройдет в мае этого года, компания Globalfoundries представит доклад, посвященный усовершенствованию технологии создания сквозных межслойных соединений (TSVs).

Этот метод имеет большое значение для развития электроники, поскольку дальнейшее наращивание числа транзисторов в планарном слое может быть затруднительным. Сегодняшние литографические технологии уперлись в ограничение 197-нм сканеров, а 450-мм пластины и EUV-литография вряд ли будут доступны в промышленных масштабах в ближайшей перспективе. Благодаря применению сквозных соединений можно создавать высокоплотные слоеные полупроводниковые структуры, однако у этой технологии также есть свои проблемы. Компания GlobalFoundries расскажет в своем докладе, как она решала одну из проблем – «мертвую» зону вокруг TSVs-каналов и в месте контакта с контактным слоем металлизированных каналов.

Поскольку у меди более высокий коэффициент температурного расширения, чем у кремния, вокруг зоны контакта необходимо создавать своего рода буфер. Площадь этого буфера выпадает из электронной схемы, создаваемой на кристалле. На 10 тыс. сквозных соединений может потребоваться до 113 кв. мкм. поверхности рабочего слоя. Такая непозволительная роскошь значительно увеличивает себестоимость микросхем, а также «съедает» часть транзисторного бюджета. Подобранные материалы и технология, разработанная компанией GlobalFoundries, дают возможность в значительной степени сократить площадь зоны буфера в месте TSVs-контакта. По мнению специалистов, можно достигнуть четырехкратного сокращения площади.

В идеальном случае от буферной зоны можно вообще избавиться, применив, к примеру, в качестве заполнения каналов для металлизации вольфрам вместо меди. Вольфрам обладает таким же коэффициентом расширения, что и медь, поэтому деформации материала в процессе рабочего нагрева не должно быть, однако и здесь имеются свои трудности. В любом случае, компания GlobalFoundries хорошо продвигается в деле совершенствования 20-нм техпроцессов. И представители отрасли в ходе майской конференции Interconnect Technology могут узнать много нового.

Читайте также:
Intel разместила заказы на 28-нм чипы у TSMC, Globalfoundries и UMC
Globalfoundries готовится к массовому производству МЭМС
GlobalFoundries получила разрешение на еще одну фабрику в США
Globalfoundries начинает производство 14-нм FinFET-транзисторов
14-нм техпроцесс Globalfoundries не даст существенного уменьшения размеров
Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм
Globalfoundries уготована участь бездомной компании?
Globalfoundries приступила к строительству фабрики в Нью-Йорке

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *