Globalfoundries уравняет шансы фаблесс-компаний на 14 нм

14-нм FinFET-технология GlobalFoundries выровняет соотношение сил между фаблесс-компаниями, предоставив им самый современный процесс. Об этом заявил Моджи Сян (Mojy Chian), старший вице-президент компании GlobalFoundries, на конференции IEF2012 в Братиславе.

GlobalFoundries намеревается в 2014 г. освоить серийное производство по технологии 14-нм FinFET. Это время совпадает с тем сроком, который установила Intel на внедрение той же технологии.

14-нм гибридная технология 14XM от GlobalFoundries обеспечит изготовление кристаллов с 14-нм FinFET-транзисторами и 20-нм межсоединениями

По словам Сяна, 14-нм процесс GlobalFoundries позволит создавать транзисторы меньшего размера, чем по 14-нм технологии Intel, поскольку терминология этой компании, как правило, не коррелирует с терминологией, употребляемой другими фаундри-компаниями. Например, 22-нм техпроцесс Intel в показателях back-end-металлизации аналогичен 28-нм процессу фаундри-отрасли. Правила проектирования и период в 22-нм процессе Intel практически идентичны тем, которые используются в 28-нм технологии других фаундри. На самом деле, длина вытянутого затвора в 22-нм процессе Intel составляет 26 нм.

14-нм процесс GlobalFoundries имеет ряд преимуществ перед 20-нм технологией, одно из которых состоит в сокращении времени разработки за счет простоты миграции с 20 на 14 нм. По словам Сяна, заказчики смогут использовать те же самые файлы баз данных GDSII и менять транзисторы. Такой переход в GlobalFoundries называют «дружественной fin-миграцией», при которой используются преимущества 14-нм процесса и сохраняются 20-нм межсоединения.

К другим преимуществам 14-нм процесса GlobalFoundries относится более высокое быстродействие (на 20–55%), чем на 20 нм, что зависит от величины рабочего напряжения, либо более продолжительный срок службы батарей (на 40–60%) при той же производительности. Предполагается, что в 14-нм технологии GlobalFoundries станут использоваться затворы прямоугольной формы, однако при переходе на серийное производство она может претерпеть изменения. Компания Intel использует треугольную форму затворов, что снижает производительность и энергоэффективность FinFET-транзисторов.

В первую очередь, GlobalFoundries будет выпускать 14-нм системы-на-кристалле (СнК) для мобильных устройств. Эта компания с 2009 г. работает с ARM по оптимизации СнК на ARM-ядрах. 14-нм процесс станет первой технологией, которую Intel будет использовать в производстве СнК для мобильных устройств.

Освоение компанией GlobalFoundries 14-нм FinFET-технологии с использованием 20-нм межсоединений позволит на 1 год быстрее внедрить этот процесс в производство. В следующем году GlobalFoundries запускает производство по выпуску 20-нм кристаллов. По словам Сяна, выход годных 20-нм изделий SRAM и других опытных образцов очень высок.

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзывОтмена