Globalfoundries совместно с Imec работает над STT-MRAM


Globalfoundries в сотрудничестве с бельгийской научно-исследовательской лабораторией Imec, занимаются разработкой магниторезистивной памяти, работающей на принципе переноса спинового момента электронов (STT-MRAM).

Как заявили в Imec, технология STT-MRAM является многообещающей альтернативой существующим технологиям памяти с высокой плотностью упаковки, таким как SRAM и DRAM. К основным преимуществам нового продукта можно отнести задержку срабатывания менее 1 нс и масштабируемость техпроцесса ниже 10 нм.

В Imec отметили, что в продвижении технологии STT-MRAM компания Globalfoundries присоединилась к Qualcomm, которая вместе с несколькими поставщиками оборудования обеспечивает необходимыми средствами научные разработки в области STT-MRAM.

По словам Люка ван ден Хова (Luc van den Hove),  президента и исполнительного директора Imec, исследования лаборатории позволяют выстроить цепь создания ценности нового продукта, в которой участвуют фаундри-производители, IDM, fabless- и fablite-компании, фирмы, обеспечивающие корпусирование и сборку, а также поставщики оборудования и материалов.

Читайте также:
MeRAM: компьютерная память может быть холодной
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Топ-15 горячих технологий 2013 года по версии EE Times
Краткая история развития устройств памяти
Создан действующий прототип квантовой памяти

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *