Globalfoundries пытается обойти конкурентов: 14 нм к 2014 г.

Globalfoundries неожиданно заявила о том, что запустит производство по технологии 14 нм с использованием FinFET-транзисторов уже в 2014 г., т.е. год спустя после внедрения 20-нм процесса.

Если ей это удастся сделать, Globalfoundries обойдет своих конкурентов и даже сможет бросить вызов Intel, которая обладает несомненным технологическим преимуществом.

Из заявления Globalfoundries следует, что 14-нм процесс XM собственной разработки комбинирует 14-нм FinFET-транзисторы и элементы 20-нм процесса. По словам руководителей этой компании, расстояние между «плавниками» 14-нм FinFET-транзисторов составляет 48 нм, т.е. столько же, сколько ожидает получить Intel, используя 14-нм трехзатворную технологию. Другие параметры элементов тоже идентичны тем, о которых заявила Intel применительно к 14-нм процессу.

Безусловно, более раннее освоение этого техпроцесса позволит Globalfoundries стать технологическим лидером среди других фаундри-компаний. Так, например, TSMC и UMC заявили о планах использования FinFET-транзисторов в 20-нм процессе, который UMC, например, намеревается внедрить в производство во второй половине 2014 г., а TSMC – еще позже. Компания Intel приступила к серийному производству 22-нм устройств с использованием FinFET в этом году.

Стандартная планарная FET-технология (слева) и FinFET, которая обеспечивает большую эффективность за счет более низкого напряжения Vdd и меньших токов утечки. Источник: Globalfoundries

Технология FinFET, которая была предметом исследования многих компаний и университетов более 10 лет, позволяет повысить энергоэффективность по сравнению со стандартными транзисторами. Из заявления Globalfoundries следует, что применение ее 14-нм процесса XM позволит увеличить срок службы батарей на 40–60% по сравнению с технологией планарных транзисторов.

Globalfoundries уже осваивает 14-нм процесс XM, тестируя кристаллы на фабрике Fab 8. Уже появились первые комплекты для разработки, а образцы для тестирования будут предоставлены заказчикам в 2013 г.

По мнению Лена Джелинека (Len Jelinek), директора и главного аналитика IHS iSuppli, хотя Globalfoundries идет вровень с TSMC, UMC и другими специализированными фаундри-поставщиками, главный конкурент этой компании – Intel. Однако несмотря на то, что Globalfoundries занимает второе место в списке фаундри по объемам продаж, она по-прежнему отстает от TSMC по многим показателям. Globalfoundries пытается стать технологическим лидером среди других фаундри, главным образом, потому, что Advanced Micro Devices, ее самый крупный заказчик, является основным конкурентом Intel на рынке процессоров для ПК.

Джелинек считает, что Globalfoundries не пытается стать фаундри-компанией №1 в мире. Ее цель – стать технологическим лидером на своем рынке.

Дэн Хатчесон (Dan Hutcheson), аналитик компании VLSI Research, утверждает, что еще ни одному производителю полупроводников не удалось перейти на новую проектную норму за два года. По его мнению, чтобы сделать такой шаг, Globalfoundries придется очень хорошо постараться.

По мнению Субрамани Кенгери (Subramani Kengeri), руководителя отдела современной технологической архитектуры GlobalFoundries, сходство между 20-нм процессом компании и 14-нм процессом XM позволит ее заказчикам воспользоваться имеющимися наработками при проектировании устройств на основе новых кристаллов. Дело в том, что около 7000 правил проектирования одинаковы в обоих процессах, тогда как число новых правил, касающихся применения FinFET, гораздо меньше – около 60.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена