GlobalFoundries делится достижениями в технологии HKMG


На прошедшей неделе в рамках мероприятия 2009 Symposium on VLSI Technology (15-18 июня 2009, Киото, Токио) компания GlobalFoundries рассказала об успехах в освоении новых технологий.

Была представлена разработка, которая, как утверждается, позволила специалистам компании уменьшить эквивалентную толщину слоя оксида (equivalent oxide thickness, EOT) в транзисторе с применением high-k диэлектрика и металлическим затвором (HKMG). Участникам симпозиума были продемонстрированы транзисторы n-MOSFET с EOT 0,55 нм и p-MOSFET с EOT 0,7 нм. Это соответствует возможности масштабирования HKMG-транзисторов до норм 22 нм и менее.

Компания GlobalFoundries, образованная отделением от AMD, имеет производственные мощности в Германии и планирует строительство нового производства с США. Строительство фабрики, рассчитанной на обработку 300-мм пластин, обойдется компании в $4,5 млрд. Ввод в строй мощностей с начальной производительностью 35 тыс. пластин в месяц намечен на 2012 год.

Унаследовав место AMD в технологическим альянсе, GlobalFoundries разрабатывает новые технологии совместно с IBM. Ожидается, что GlobalFoundries начнет выпуск HKMG-продукции с соблюдением норм 32 нм во второй половине текущего года, несколько раньше других производителей, участвующих в альянсе. Массовый выпуск по указанной технологии должен быть развернут в первой половине 2010 году.

По материалам EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *