FDSOI-транзисторы удалось разогнать до 3 ГГц


STMicroelectronics продолжает энергично продвигать свой производственный процесс полностью обедненного кремния на изоляторе (FDSOI).

По последним данным, 28-нм версия технологии позволила создать «процессорный движок», способный работать на тактовой частоте свыше 3 ГГц.

ST не разъяснила в чем отличие «процессорного движка» (engines) от собственно процессора и какие пределы рабочих температур были допущены, чтобы достичь 3 ГГц.

Для сравнения, процессор приложений NovaThor L8580 с модулем LTE от ST-Ericsson показал, что может работать на тактовой частоте до 2,5 ГГц на пиковой производительности, а также способен работать на пониженном напряжении до 0,6 В для экономии энергии. Поэтому будет справедливо предположить, что ST хочет сообщить о том, что L8580 и подобные ему процессоры можно разогнать свыше 3 ГГц, если этого захотят разработчики.

Заявлено, что планарная FDSOI-технология, которая для ST пока остается менее интересной для продвижения, имеет преимущества над другими господствующими вариантами производственного процесса – такими как монолитная планарная КМОП и FinFET КМОП – в условиях компромисса между быстродействием, потребляемой мощностью и технологичностью.

Применение обратного смещения канала под оксидом-изолятором теоретически позволяет дополнительно повысить быстродействие, и технология кремний на изоляторе тоже позволяет производить микросхемы с меньшими рабочими напряжениями, чем в альтернативных технологиях, утверждают ее сторонники.

ST ранее заявляла, что ее 28-нм FDSOI технология может обеспечить на 30% большее быстродействие чем 28-нм монолитная КМОП при той же потребляемой мощности, либо наоборот, на 50% снизить динамическую потребляемую мощность при том же быстродействии. Это обещания могут возрасти по мере того, как компания наращивает быстродействие.

«Как мы и ожидали, FDSOI доказывает, что она быстрая, простая и холодная; мы полностью ожидали увидеть рабочую частоту 3 ГГц, подход к проектированию хорошо совместим с методами монолитной КМОП, и с преимуществами полностью обедненных каналов и обратным смещением низкая потребляемая мощность также соответствует нашим ожиданиям», – сказал в официальном сообщении Жан-Марк Чери (Jean-Marc Chery), главный технолог STMicroelectronics.

По заявлению ST, они пришли к выводу, что перевод библиотек и проектной документации физического уровня с 28-нм монолитной КМОП на 28-нм FDSOI-технологию будет простым. Процесс проектирования цифровых схем с помощью традиционных САПР был идентичным проектированию монолитной КМОП, заявили в компании.

ST представила технологию FDSOI на конгрессе Mobile World Congress, прошедшем на прошлой неделе в Барселоне.

Читайте также:
План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
ST-Ericsson дополнит реальность кристаллами NovaThor
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
ARM оценивает технологию FDSOI как «хорошую технологию»

Источник: EE Times

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *