Новые диоды компании Fairchild Semiconductor разработаны для использования в импульсных источниках питания [[для ЖКИ ТВ приложений]].
Диоды FFP08S60S и FFPF08S60S (Stealth II) характеризируются плавным восстановлением (tb/ta > 1.3) и очень малым временем обратного восстановления (trr< 25нс, при 600 В). Эти параметры критичны для уменьшения проблемных электромагнитных излучений устройства и коммутационных потерь полевого транзистора в режиме работы по постоянному току источников с PFC.
Также предлагается диод FFPF08H60S (Hyperfast II) с большой скоростью коммутации (trr< 35нс, при 600 В) и малым дрейфом напряжения (Vf < 2.1 В). Этот диод способен уменьшить потери проводимости и тем самым повысить КПД источников с PFC в режиме работы по току с прерываниями (DCM).
Технологии Stealth II и Hyperfast II могут работать вместе с MOSFET-технологиями Fairchild Semiconductor: UniFETTM и SuperFETTM. Такое объединение высокопроизводительных компонентов позволяет уменьшить паразитные излучения, существенно повысить эффективность и надежность источников питания для ЖКИ ТВ приложений.