Энергонезависимая флэш-память B4-Flash нашла коммерческое применение

Японская компания Genusion, специализирующаяся на разработке флэш-памяти, и компания ROHM Group заявили о подписании лицензионного соглашения. Его предметом стала технология флэш-памяти B4-Flash, созданная специалистами Genusion.

Заключенный договор станет основой сотрудничества двух компаний в области разработки и серийного производства кристаллов памяти B4-Flash. Первые серийные изделия компания Genusion выпустила еще в октябре прошлого года. Фактически, разработка и освоение соответствующего технологического процесса на мощностях ROHM уже завершена.

Микрофотография ячейки флэш-памяти, полученная с помощью просвечивающего электронного микроскопа

Основу памяти B4-Flash составляет механизм B4-HE (инжекция «горячих» электронов в результате межзонного туннелирования при обратном смещении), разработанный специалистами Genusion. Такой подход разрешает одну из основных проблем, связанных с традиционной флэш-памятью, позволяя существенно увеличить ее быстродействие при записи.
Технология B4-Flash обеспечивает не только высокую скорость передачи данных, но и высокую надежность. Операции записи и стирания осуществляются в кристаллах B4-Flash в 5–10 раз быстрее, чем позволяет флэш-память NOR. Новая память имеет малую стоимость, более высокую плотность и устойчивость к хранению записанной информации при высоких температурах. Изделия B4-Flash позволяют также хранить данные в течение 20 лет при 125°С после 10 тыс. циклов стирания/записи. Объем памяти кристаллов равен 512 Мбит и 1 Гбит.

Обратное смещение вызывает межзонное туннелирование «горячих» электронов

Соглашение предусматривает выпуск систем на кристалле и других ИС со встроенной памятью B4-Flash под торговыми марками ROHM и Lapis Semiconductor, входящей в группу ROHM. Партнеры рассчитывают, что новая память производства ROHM найдет применение в автомобильных навигаторах и смартфонах.

Источник: EETimes

Оставьте отзывОтмена