Электронные наноустройства с предсказуемыми свойствами


Ученые из Школы физики при Университете Нового Южного Уэльса разработали метод, исключающий деформацию приповерхностных слоев арсенида галлия в присутствии ионизованных атомов кремния.

Исследователи изучили путь прохождения электронов через микроскопические поверхностные слои арсенида галлия, охлажденные почти до абсолютного нуля. Эти исследования позволяют лучше понять механизм действия классической теории хаоса в предельном квантово-механическом случае, а также то, как волновая природа электронов влияет на работу транзисторов.

Для исключения примесей на поверхности полупроводника, которые приводят к возникновению эффекта обратного рассеивания, используются сверхчистые материалы, однако при этом не удается избежать электростатического эффекта, вызывающего коробление поверхности под воздействием электронов ионизованных атомов кремния.

Вид поверхности арсенида галлия под микроскопом

Ученые из Орегонского и Кембриджского университетов обнаружили, что эту деформацию можно реструктурировать путем нагрева и последующего охлаждения арсенида галлия. В результате пути прохождения электронов существенно изменяются, что доказывает большее, чем ожидалось, их влияние в механизме образования коробления.

Коллектив ученых под руководством д-ра Эндрю Си (Andrew See) устранил примеси из кремния, исключив тем самым возможность деформации и обеспечив намного более воспроизводимые результаты. Исследователи утверждают, что их работа позволяет лучше понять, как создавать наномасштабные электронные устройства с более предсказуемыми свойствами.

Источник: Electronics News

Читайте также:
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Нанотехнологии в электронике
Запущено производство коллоидных квантовых точек
Новые транзисторы: молибденит как альтернатива кремнию
IBM и ETH Zurich открыли Центр нанотехнологий в Цюрихе
Обнаружен новый тип электронного взаимодействия

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *