Ученые из Школы физики при Университете Нового Южного Уэльса разработали метод, исключающий деформацию приповерхностных слоев арсенида галлия в присутствии ионизованных атомов кремния.
Исследователи изучили путь прохождения электронов через микроскопические поверхностные слои арсенида галлия, охлажденные почти до абсолютного нуля. Эти исследования позволяют лучше понять механизм действия классической теории хаоса в предельном квантово-механическом случае, а также то, как волновая природа электронов влияет на работу транзисторов.
Для исключения примесей на поверхности полупроводника, которые приводят к возникновению эффекта обратного рассеивания, используются сверхчистые материалы, однако при этом не удается избежать электростатического эффекта, вызывающего коробление поверхности под воздействием электронов ионизованных атомов кремния.
 |
Вид поверхности арсенида галлия под микроскопом
Ученые из Орегонского и Кембриджского университетов обнаружили, что эту деформацию можно реструктурировать путем нагрева и последующего охлаждения арсенида галлия. В результате пути прохождения электронов существенно изменяются, что доказывает большее, чем ожидалось, их влияние в механизме образования коробления.
Коллектив ученых под руководством д-ра Эндрю Си (Andrew See) устранил примеси из кремния, исключив тем самым возможность деформации и обеспечив намного более воспроизводимые результаты. Исследователи утверждают, что их работа позволяет лучше понять, как создавать наномасштабные электронные устройства с более предсказуемыми свойствами.
Источник: Electronics News
Читайте также:
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Нанотехнологии в электронике
Запущено производство коллоидных квантовых точек
Новые транзисторы: молибденит как альтернатива кремнию
IBM и ETH Zurich открыли Центр нанотехнологий в Цюрихе
Обнаружен новый тип электронного взаимодействия