ЗНТЦ разработал установку электронно-лучевой литографии для изготовления фотошаблонов и формирования рисунка на подложках без использования маски


Оборудование с проектными нормами 150 нм разработал Зеленоградский нанотехнологический центр, сейчас опытные образцы проходят испытания.

По информации Cnews, ЗНТЦ ищет перевозчика для доставки «опытного образца установки электронно-лучевой литографии с проектными нормами 150 нм» в рамках ОКР шифр «Прогресс ЭЛЛ 150». Место отправления — Зеленоград, пункт назначения не раскрывается.

Особенность установки — безмасковая литография. В отличие от фотолитографии, где рисунок переносится через фотошаблон, электронно-лучевая литография формирует изображение непосредственно на подложке с помощью сфокусированного пучка электронов. Это позволяет изготавливать фотошаблоны и создавать рисунок на кремниевых и других подложках без использования маски, что критически важно для производства опытных партий, прототипов и специализированных микросхем.

Фотошаблоны являются конечным продуктом процесса ЭЛЛ. Установка ЭЛЛ рисует эталонный рисунок будущей микросхемы на заготовке маски. Этот фотошаблон (стеклянная пластина с рисунком из непрозрачной пленки) затем используется в фотолитографе как «трафарет» для быстрого переноса изображения на тысячи кремниевых пластин, продолжил он. По мнению руководителя одного из микроэлектронных предприятий, среди ключевых проблем — отсутствие собственной инженерной школы для производства ниже 65 нм, фоторезистов для технологий ниже 90 нм, компонентной базы и критически важных решений, таких как сверхточные лазерные интерферометры и системы управления нагревом для предотвращения «эффекта близости», а также отсутствие государственной стратегии по реинжинирингу оборудования мировых лидеров силами научных институтов, как это делает Китай с 2005–2010 годов, что позволило бы сократить отставание, обеспечить выпуск доверенной электроники для КИИ и расширить объем собственных разработок в стране.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *