Доля Китая в производстве чипов по зрелым техпроцессам увеличится до 33% к 2027 году


Ожидается, что с 2023 по 2027 год глобальное соотношение зрелых (>28 нм) и продвинутых (<16 нм) процессов будет колебаться в районе 7:3. Благодаря политике и стимулированию местных производителей и разработчиков микросхем, зрелые технологические мощности Китая вырастут с 29% в этом году до 33% к 2027 году. Лидерами будут такие гиганты, как SMIC, HuaHong Group и Nexchip, а доля Тайваня уменьшится с 49% до 42%.

Расширение производства преимущественно нацелено на специализированные процессы, такие как микросхемы драйверов, CIS/ISP и дискретные элементы питания. В секторе драйверных ИС основное внимание уделяется специальным процессам высокого напряжения (ВН). Поскольку компании активно внедряют 40/28-нм  процесс, в настоящее время доминирует UMC, за которой следует GlobalFoundries. Тем не менее, 28HV от SMIC и 40HV от Nexchip готовятся к массовому производству в 4К23 и 1П24 соответственно, что сокращает их технологический разрыв с другими фабриками

Примечательно, что конкуренты со схожими технологическими возможностями и мощностями, такие как PSMC, а также компании, не имеющие двенадцатидюймовых заводов, такие как Vanguard и DBHitek, могут столкнуться с проблемами в краткосрочной перспективе. Эта тенденция также может иметь долгосрочные последствия для UMC и GlobalFoundries.

В области CIS/ISP структура 3D CIS содержит логический уровень ISP и пиксельный уровень CIS. Основным разграничением основных процессов является диапазон 45/40 нм для ISP логического уровня, который продолжает развиваться в направлении более совершенных узлов. Между тем, уровень пикселей CIS, наряду с FSI/BSI CIS, преимущественно использует процессы 65/55 нм и выше. В настоящее время лидерами в этой технологии являются TSMC, UMC и Samsung. Тем не менее, китайские игроки, такие как SMIC и Nexchip, следуют за ними по пятам, быстро сокращая разрыв. Их восхождению способствуют китайские гиганты смартфонов OPPO, Vivo и Xiaomi. Кроме того, внутренние изменения, вызванные политикой правительства, позволяют таким китайским компаниям, как OmniVision, Galaxycore и SmartSens, сплотиться вокруг местных производителей.

 

К силовым дискретам в основном относятся такие продукты, как MOSFET и IGBT. Vanguard и HHGrace уже некоторое время активно участвуют в процессах Power Discrete и могут похвастаться более комплексной технологической платформой и сертификацией транспортных средств, чем многие конкуренты.

Однако волна китайских претендентов, поддержанная национальной политикой, ориетированной на производство электромобилей и солнечную энергетику, готова заявить о своих правах, усиливая глобальную конкуренцию в этом секторе. Сюда входят такие основные фабрики, как HHGrace, SMIC, Nexchip и CanSemi. Кроме того, в конкурентную среду также входят более мелкие китайские IDM и фабрики, такие как GTA и CRMicro.

Если Китай массово нарастит свои производственные мощности, он усилит глобальную конкуренцию в производстве дискретных компонентов Это не только спровоцирует ценовые войны среди местных китайских предприятий, но также может подорвать портфели заказов и клиентуру тайваньских компаний. Короче говоря, в то время как Китай активно привлекает как мировых, так и отечественных разработчиков микросхем, чтобы поддержать свое местное производство, последующее массовое расширение может наводнить мировой рынок чипами по зрелым техпроцессам, что потенциально может спровоцировать ценовую войну.

TrendForce отмечает, что по мере того, как в Китае продолжают появляться зрелые технологические мощности, тенденции локализации драйверов IC, CIS/ISP и Power Discretes станут более выраженными. Фабрики второго и третьего эшелонов со схожими технологическими платформами и мощностями могут столкнуться с риском оттока клиентов и ценового давления. Лидеры тайваньской отрасли, известные своими специализированными процессами — UMC, PSMC, Vanguard и многие другие — окажутся в эпицентре бури. Предстоящая битва будет зависеть от технологического мастерства и эффективности производства.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *