Научно-исследовательский центр наноэлектроники IMEC оценил возможности технологии RMG (replacement metal gate) для дальнейшего масштабирования транзисторов и перехода от ныне используемых структур HKMG.
Инженеры IMEC посвятили ряд выступлений на эту тему на симпозиуме VLSI Technology Symposium, который прошел в Гонолулу с 12 по 15 июня. Среди партнеров IMEC, которые пользуются результатами научно-исследовательских программ по совершенствованию КМОП-технологии, такие компании как Globalfoundries, Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, SK Hynix, Fujitsu и Sony.
 |
Хотя технология RMG («заменитель металлического затвора») и является более сложным методом под названием gate-last («затвор в последнюю очередь»), чем gate-first («затвор в первую очередь»), она обеспечивает более совершенные характеристики за счет широкого выбора материалов для изолятора с высокой диэлектрической проницаемостью и металлического затвора.
IMEC рассматривает RMG основным методом масштабирования электронных цепей на проектных нормах ниже 20 нм. Исследователи ищут возможность использовать преимущества технологии RMG в различных приложениях, при отборе материалов и проектировании, а также для создания условий совместимости с новейшими модулями и архитектурами устройств.
В методе RMG слой диэлектрика затвора с высокой проницаемостью (high-k) осаждается в начале технологического процесса или непосредственно до формирования электрода затвора, который, в свою очередь, создается после образования переходов.
Использование временного (впоследствии удаляемого) затвора позволяет лучше контролировать напряжение канала в устройствах меньшего размера. Кроме того, стадии техпроцесса RMG также характеризуются меньшими тепловыми нагрузками, что увеличивает выбор материалов для настройки рабочих параметров и улучшает возможность управления надежностью. К числу других преимуществ этой технологии относится меньшее, чем в методе gate-first, сопротивление затвора, что важно при построении ВЧ КМОП-схем, а также возможность повышения подвижности зарядов в канале.
Источники: Electronics Weekly, EE Times
Читайте также:
IMEC раскрыла детали своего high-k / metal gate CMOS процесса
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
IMEC и ARM: возможно ли сотрудничество?
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Количество заказов на 28-нм производство TSMC утроилось
Производительность завтрашних систем
Глава IMEC настаивает на запуске производства пластин 450 мм
Дискуссия о перспективах субмикронной литографии и 450-мм пластин
Перспективы техпроцесса на нормах ниже 10 нм по мнению IMEC