Транзисторы

Ученые разработали революционный новый транзистор

Транзисторы

Создан динамически программируемый транзистор, который один может реализовать такую многокомпонентную логику, как NOR, NAND и т.д Разработанный транзистор легко ложится на существующую инфраструктуру производства и не использует экзотические материалы. Особенный выигрыш от его использования ожидается в сфере искусственного интеллекта.
https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Японцы будут производить СВЧ-транзисторы для базовых станций 5G в США

Мировой рынок Рынок электроники СВЧ Транзисторы #

Японская компания Sumitomo Electric Industries, больше известная как производитель кабелей, но также выпускающая материалы и компоненты, используемые в электронной промышленности, с сентября начнёт производить в США полупроводниковые изделия для базовых станций 5G.

Полупроводниковые SIC-приборы

Электронные компоненты Силовая электроника Транзисторы

В статье рассматриваются основные свойства карбидокремниевых полупроводниковых приборов. Приводятся примеры их применения. Акцент сделан на полевых транзисторах с p n переходом.

Совершенствование силовых полупроводников на основе технологий GAN, SIC И SUPERjUNCTION

Силовая электроника Транзисторы #

В статье сравниваются преимущества и недостатки силовых транзисторов, изготовленных по технологиям GaN, SiC и Superjunction, рассматриваются области их применения.

5-нм техпроцесс TSMC рекордно уплотняет транзисторы на чипах

Мировой рынок Электронные компоненты Транзисторы Производство электроники

Техпроцесс TSMC N5P обеспечивает повышение плотности размещения транзисторов на 84-87% по сравнению с 7-нанометровыми техпроцессом.

Imec и стартап Unisantis продемонстрировали самую плотную в индустрии 6-транзисторную ячейку SRAM

Рынок электроники Электронные компоненты Транзисторы Производство электроники

Стартап Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd, возглавляемый ветераном отрасли и одним из изобретателей NAND в составе команды Toshiba — Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), на форуме Imec Technology Forum (ITF 2018) продемонстрировал самую плотную в индустрию 6-транзисторную ячейку SRAM.

Твердофазная эпитаксия позволяет получить упруго-напряженные GeSn МОП-транзисторы на кремнии

Мировой рынок Электронные компоненты Транзисторы

KULeuven (Лёвенский католический университет, Бельгия), IMEC (Межуниверситетский центр микроэлектроники в Лёвене, Бельгия) и AIST объявили о разработке нового процесса твердофазной эпитаксии для интеграции GeSn (олово-германиевых) MOSFET транзисторов на кремнии.