Технология ближнего инфракрасного диапазона (NIR) необходима для таких приложений, как автономные системы, биомедицинские датчики и высокоскоростная оптическая связь. Однако традиционная кремниевая CMOS -технология не позволяет напрямую регистрировать волны NIR. Современные решения основаны на дорогостоящих процессах выращивания материалов, поглощающих инфракрасное излучение, и их соединения с кремниевыми схемами, что усложняет процесс и ограничивает миниатюризацию датчиков.