SuperBC – технология изготовления «скрытых» конденсаторов 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости На выставке APEX 2008 (1-3 апреля 2008, Лас-Вегас) EMS компания Sanmina-SCI представила новую технологию [[изготовления скрытых (buried)]] конденсаторов.
IRC предлагает высоковольтные толстопленочные резисторы серии CMH для военных приложений 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Резисторы могут быть использованы в военной технике, радарных системах, медицинской аппаратуре и высоковольтных источниках питания.
В НР создан новый элемент электронных схем 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Специалистам исследовательской лаборатории Hewlett-Packard, проводившим исследования под руководством Стенли Уильямса, удалось создать так называемый [[мемристор - четвертый базовый элемент электронных схем]].
Высокостабильные чип-резисторы для тяжелых условий эксплуатации от TT electronics IRC 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания TT electronics IRC разработала серию [[чип-резисторов 0402 на основе нитрида тантала, которые обеспечивают высокую стабильность]] в тяжелых условиях эксплуатации.
VAR — фольговые резисторы для аудиоприменений 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новую серию [[прецизионных резисторов]] для аудиоприменений.
Первые в отрасли 1 мкФ керамические конденсаторы в корпусе 0302 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания Murata Electronics сообщила о разработке двухсекционных (двухэлементных) керамических конденсаторов емкостью 1.0 мкФ в корпусе размером 0.9x0.6 мм.
Танталовые конденсаторы со встроенной защитой 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Танталовые конденсаторы серии TAW компании AVX имеют встроенную защиту, предохраняющую их от возможного повреждения при коротком замыкании.
Новый уплотнитель для защиты от электромагнитных помех 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания Schroff GmbH, совместно с партнерами, разработала текстильный уплотнитель с запатентованным треугольным профилем для защиты от электромагнитных помех. Уплотнитель разработан специально для экранирования узких щелей.
AVX расширила семейство варисторов AntennaGuard 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания AVX Corp. расширила семейство многослойных варисторов (MLV) AntennaGuard, добавив в него приборы емкостью менее 1 пФ.
Транзисторы следующего поколения 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Немецкие компании Qimonda AG и Siltronic AG приступили к совместной разработки транзисторов нового поколения. Планируется создать трехмерные (3D) приборы минимально возможных размеров.
Компания AVX предлагает сверхнадежные танталовые конденсаторы увеличенной емкости 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания AVX разработала «мокрые» танталовые конденсаторы с катодной системой большой емкости, позволяющей создавать компоненты с уровнем CV, который невозможно достичь с помощью прежних технологий.
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости В апреле Hewlett Packard доказала факт существования мемристоров. Мемристоры - четвертый элемент электротехнической теории цепи, наряду с резисторами, емкостями и индуктивностями.
Резисторы номинальной мощностью 350 Вт от IMS 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания IMS предлагает 350-Вт резисторы на основе нитрида алюминия серии N в корпусах размером от 0505 до 3725
Керамические резонаторы для USB-приложений от Murata 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Фирма Murata разработала серию резонаторов с интегрированными нагрузочными емкостями для контура управления ИС контроллера USB 2.0.
Высокотемпературные конденсаторы от AVX 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания AVX добавила в семейство керамических конденсаторов новые приборы серий SMX и CHX с рабочей температурой до 200°C.
Новая серия мощных p-канальных MOSFET от IXYS 20.11.200804.03.2020 Пассивные элементы Новости Компания IXYS анонсировала выпуск нового семейства p-канальных силовых MOSFET на напряжение от –100 до –600 В, которое дополняет семейство силовых n-канальных приборов.