На конференции производителей электронных устройств IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting, 15-17 декабря 2008, Сан-Франциско) IBM представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нм технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 мкм2, ячейка будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В. Всего тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд транзисторов.