Память

Японские ученые разработали новый тип жестких дисков, в которых запись информации выполняется не магнитным, а электрическим полем. Предполагается, что они могут быть меньше, эффективнее и быстрее современных магнитных носителей. Однако технология, предлагаемая инженерами, требует доработки.

Компания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

Поставщики DRAM столкнулись с серьезными финансовыми трудностями, поскольку ресурсы сотрудничающих с ними банков оказались связаны вследствие глобального кредитного кризиса, утверждает источник со ссылкой на данные аналитической компании iSuppli.

Компания Qimonda AG, ведущий поставщик продуктов памяти, сообщает о начале посавок небуферизированных модулей памяти DDR3 с двухрядным расположением выводов (UDIMM) объемом 1 Гбит и 2 Гбит на базе процессора Intel Core i7 и чипсета IntelX58 Express. Новые приборы позволяют значительно сократить потребление и снизить тепловыделение настольных компьютеров класса high-end нового поколения.

Корпорация Intel начала поставки своих наиболее производительных твердотельных жестких дисков (SSD), Intel X-25E Extreme SATA, предназначенных для серверов, рабочих станций и систем хранения данных. Эти SSD построены на базе технологии 50-нм одноуровневых ячеек (SLC) флэш памяти типа NAND.

Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

Компания Intel начала продажу первых разработанных компанией флэш-накопителей.

Американское отделение компании NEC, которое специализируется на решениях в сфере управления ИТ-инфраструктурой, сетями и учетными данными, представило HYDRAstor HS8, второе поколения решеточных (grid) систем хранения.

Ситуация на рынке интегральных микросхем оперативной памяти на сегодняшний день крайне сложна для производителей, ведь цены на их продукцию столь низки, что не позволяют рассчитывать на серьезные прибыли. Более того, в ближайшем будущем тенденция к снижению цены DRAM-чипов сохранится. Это положение ни в какой степени не может устраивать производителей, вынужденных принимать меры для исправления ситуации.

Компания Fairchild Semiconductor выпустила маломощный двухбитовый транслятор логических уровней с автоматическим определением направления передачи. Он поможет уменьшить задержки в работе таких устройств, как ноутбуки, мобильные телефоны, приемники GPS и дисплеи.

Приборы с медными выводными рамками, по сравнению с рамками из Alloy42, более надежны в жестких условиях эксплуатации и могут найти применение в автомобильной и промышленной электронике.

Чтобы удержать лидерские позиции на рынке чипов памяти, компания Samsung Electronics активно работает над развитием новых направлений, одним из которых является технология PRAM, также известная как PCM (phase-change memory, память на основе фазового перехода).

Инновационная технология Buried Wordline DRAM от Qimonda сочетает высокую производительность, низкое энергопотребление и малогабаритность чипов и вносит вклад в дальнейшее развитие портфолио, главное место в котором отдается решениям DRAM для инфраструктурных и графических приложений.

Kingston Technology объявила о начале поставок модулей памяти HyperX DDR3 и DDR2 с новыми теплоотводами T1.

Практика регулярных уценок, хорошо зарекомендовавшая себя на рынке микропроцессоров, будет перенесена компанией Intel на нишу твердотельных дисков, сообщает сайт TG Daily.

На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

Компания Toshiba объявила о начале серийного производства новой серии флэш памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43 нм техпроцессу.

На конференции производителей электронных устройств IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting, 15-17 декабря 2008, Сан-Франциско) IBM представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нм технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 мкм2, ячейка будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В. Всего тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд транзисторов.

Компания Analog Devices представила пару микросхем генерации и распределения тактового сигнала имеющих низкий уровень шума, малую величину дрожания фронтов и широкий выбор вида выходного сигнала.

Очередной перенос сроков как минимум на год отодвинул коммерческое появление продукции в области всё ещё перспективной технологии голографической записи. По данным интернет-ресурса The Register, американская компания InPhase на этапе производства обнаружила критические недоработки первого на рынке комплекта для голографической записи – Tapestry 300.